絕緣工藝

在矽基片１０上形成圖案並蝕刻之，產生有源壕狀區１８和凹槽（２０ａ—ｂ和２１ａ—ｂ）。 使用ＬＯＣＯＳ方法在寬凹槽區２１內生長場氧化物４０，從而用氧化物將凹槽填上，並在窄凹槽區２０內沉積上平整場氧化物４４。 主權項在由窄的和寬的凹槽分隔的半導體基片中絕緣區域的方法，它包括：僅只在寬的凹槽中生長第一場氧化物；在基體上沉積一第二場氧化物區，將窄凹槽和寬凹槽的任何剩下的未填滿部分填上。

介紹

絕緣工藝

一種通過提供幾乎平滑的表面而避免由應力引起的缺陷的多凹槽絕緣工藝。在矽基片１０上形成圖案並蝕刻之，產生有源壕狀區１８和凹槽（２０ａ—ｂ和２１ａ—ｂ）。使用ＬＯＣＯＳ方法在寬凹槽區２１內生長場氧化物４０，從而用氧化物將凹槽填上，並在窄凹槽區２０內沉積上平整場氧化物４４。當將結構進行蝕刻得到一平整的表面後，使用標準步驟製備有源器件，該方法只使用一個光刻掩蔽步驟，使電有源區的寬度損失量極小。　
主權項
在由窄的和寬的凹槽分隔的半導體基片中絕緣區域的方法，它包括：僅只在寬的凹槽中生長第一場氧化物；在基體上沉積一第二場氧化物區，將窄凹槽和寬凹槽的任何剩下的未填滿部分填上。