顆粒封裝

顆粒封裝

顆粒封裝其實就是記憶體晶片所採用的封裝技術類型,封裝就是將記憶體晶片包裹起來,以避免晶片與外界接觸,防止外界對晶片的損害。

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顆粒封裝其實就是記憶體晶片所採用的封裝技術類型,封裝就是將記憶體晶片包裹起來,以避免晶片與外界接觸,防止外界對晶片的損害。空氣中的雜質和不良氣體,乃至水蒸氣都會腐蝕晶片上的精密電路,進而造成電學性能下降。不同的封裝技術在製造工序工藝方面差異很大,封裝後對記憶體晶片自身性能的發揮也起到至關重要的作用。

發展歷程

隨著光電微電製造工藝技術的飛速發展,電子產品始終在朝著更小、更輕、更便宜的方向發展,因此晶片元件的封裝形式也

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不斷得到改進。晶片的封裝技術多種多樣,有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等,種類不下三十種,經歷了從DIP、TSOP到BGA的發展歷程。晶片的封裝技術已經歷了幾代的變革,性能日益先進,晶片面積與封裝面積之比越來越接近,適用頻率越來越高,耐溫性能越來越好,以及引腳數增多,引腳間距減小,重量減小,可靠性提高,使用更加方便。

DIP封裝

上個世紀的70年代,晶片封裝基本都採用DIP(Dualln-linePackage,雙列直插式封裝)封裝,此封裝形式在當時具有適合PCB(印刷電路板)穿孔安裝,布線和操作較為方便等特點。DIP封裝的結構形式多種多樣,包括多層陶瓷雙列直插式DIP,單層陶瓷雙列直插式DIP,引線框架式DIP等。但DIP封裝形式封裝效率是很低的,其晶片面積和封裝面積之比為1:1.86,這樣封裝產品的面積較大,記憶體條PCB板的面積是固定的,封裝面積越大在記憶體上安裝晶片的數量就越少,記憶體條容量也就越小。同時較大的封

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裝面積對記憶體頻率、傳輸速率、電器性能的提升都有影響。理想狀態下晶片面積和封裝面積之比為1:1將是最好的,但這是無法實現的,除非不進行封裝,但隨著封裝技術的發展,這個比值日益接近,現在已經有了1:1.14的記憶體封裝技術。

TSOP封裝

到了上個世紀80年代,記憶體第二代的封裝技術TSOP出現,得到了業界廣泛的認可,時至今日仍舊是記憶體封裝的主流技術。TSOP是“ThinSmallOutlinePackage”的縮寫,意思是薄型小尺寸封裝。TSOP記憶體是在晶片的周圍做出引腳,採用SMT技術(表面安裝技術)直接附著在PCB板的表面。TSOP封裝外形尺寸時,寄生參數(電流大幅度變化時,引起輸出電壓擾動)減小,適合高頻套用,操作比較方便,可靠性也比較高。同時TSOP封裝具有成

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品率高,價格便宜等優點,因此得到了極為廣泛的套用。TSOP封裝方式中,記憶體晶片是通過晶片引腳焊接在PCB板上的,焊點和PCB板的接觸面積較小,使得晶片向PCB辦傳熱就相對困難。而且TSOP封裝方式的記憶體在超過150MHz後,會產品較大的信號干擾和電磁干擾

BGA封裝

20世紀90年代隨著技術的進步,晶片集成度不斷提高,I/O引腳數急劇增加,功耗也隨之增大,對積體電路封裝的要求也更加嚴格。為了滿足發展的需要,BGA封裝開始被套用於生產。BGA是英文BallGridArrayPackage的縮寫,即球柵陣列封裝

採用BGA技術封裝的記憶體,可以使記憶體在體積不變的情況下記憶體容量提高兩到三倍,BGA與TSOP相比,具有更小的體積,更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升,採用BGA封裝技術的記憶體產品在相同容量下,體積只有TSOP封裝的三分之一;另外,與傳統TSOP封裝方式相比,BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑

BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封

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裝下面,BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了,但引腳間距並沒有減小反而增加了,從而提高了組裝成品率;雖然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷晶片法焊接,從而可以改善它的電熱性能;厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少;寄生參數減小,信號傳輸延遲小,使用頻率大大提高;組裝可用共面焊接,可靠性高。

說到BGA封裝就不能不提Kingmax公司的專利TinyBGA技術,TinyBGA英文全稱為TinyBallGridArray(小型球柵陣列封裝),屬於是BGA封裝技術的一個分支,是Kingmax公司於1998年8月開發成功的,其晶片面積與封裝面積之比不小於1:1.14,可以使記憶體在體積不變的情況下記憶體容量提高2~3倍,與TSOP封裝產品相比,其具有更小的體積、更好的散熱性能和電性

採用TinyBGA封裝技術

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的記憶體產品在相同容量情況下體積只有TSOP封裝的1/3。TSOP封裝記憶體的引腳是由晶片四周引出的,而TinyBGA則是由晶片中心方向引出。這種方式有效地縮短了信號的傳導距離,信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的1/4,因此信號衰減也隨之減少。這樣不僅大幅提升了晶片的抗干擾、抗噪性能,而且提高了電性能。採用TinyBGA封裝晶片可抗高達300MHz的外頻,而採用傳統TSOP封裝技術最高只可抗150MHz的外頻。

TinyBGA封裝的記憶體其厚度也更薄(封裝高度小於0.8mm),從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。因此,TinyBGA記憶體擁有更高的熱傳導效率,非常適用於長時間運行的系統,穩定性極佳。

CSP封裝

CSP(ChipScalePackage),是晶片級封裝的意思。CS

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P封裝最新一代的記憶體晶片封裝技術,其技術性能又有了新的提升。CSP封裝可以讓晶片面積與封裝面積之比超過1:1.14,已經相當接近1:1的理想情況,絕對尺寸也僅有32平方毫米,約為普通的BGA的1/3,僅僅相當於TSOP記憶體晶片面積的1/6。與BGA封裝相比,同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍。CSP封裝記憶體不但體積小,同時也更薄,其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.2毫米,大大提高了記憶體晶片在長時間運行後的可靠性,線路阻抗顯著減小,晶片速度也隨之得到大幅度提高。

CSP封裝記憶體晶片的中心引腳形式有效地縮短了信號的傳導距離,其衰減隨之減少,晶片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升,這也使得CSP的存取時間比BGA改善15%-20%。在CSP的封裝方式中,記憶體顆粒是通過一個個錫球焊接在PCB板上,由於焊點和PCB板的接觸面積較大,所以記憶體晶片在運行中所產生的熱量可以很容易地傳導到PCB板上並散

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發出去。CSP封裝可以從背面散熱,且熱效率良好,CSP的熱阻為35℃/W,而TSOP熱阻40℃/W。

WLCSP

WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package晶圓級晶片封裝),這種技術不同於傳統的先切割晶圓,再封裝測試的做法,而是先在整片晶圓上進行封裝和測試,然後再切割。WLCSP有著更明顯的優勢。首先是工藝工序大大最佳化,晶圓直接進入封裝工序,而傳統工藝在封裝之前還要對晶圓進行切割、分類。所有積體電路一次封裝,刻印工作直接在晶圓上進行,設備測試一次完成,這在傳統工藝中都是不可想像的。其次,生產周期和成本大幅下降,WLCSP的生產周期已經縮短到1天半。而且,新工藝帶來優異的性能,採用WLCSP封裝技術使晶片所需針腳數減少,提高了集成度。WLCSP帶來的另一優點是電氣性能的提升,引腳產生的電磁干擾幾乎被消除。採用WLCSP封裝的記憶體可以支持到800MHz的頻率,最大容量可達1GB!

優點和缺點

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在不同的記憶體條上,都分布了不同數量的塊狀顆粒,它就是我們所說的記憶體顆粒。同時我們也注意到,不同規格的記憶體,記憶體顆粒的外形和體積不太一樣,這是因為記憶體顆粒“包裝”技術的不同導致的。一般來說,DDR記憶體採用了TSOP(Thin Small Outline Package,薄型小尺寸封裝)封裝技術,又長又大。而DDR2和DDR3記憶體均採用FBGA(底部球形引腳封裝)裝技,與TSOP相比,記憶體顆粒就小巧很多,FBGA封裝形式在抗干擾、散熱等方面優勢明顯。

TSOP是記憶體顆粒通過引腳(圖2黃色框)焊接在記憶體PCB上的,引腳由顆粒向四周引出,所以肉眼可以看到顆粒與記憶體PCB接口處有很多金屬柱狀觸點,並且顆粒封裝的外形尺寸較大,呈長方形,其優點是成本低、工藝要求不高,但焊點和PCB的接觸面積較小,使

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DDR記憶體的傳導效果較差,容易受干擾,散熱也不夠理想。FBGA封裝把DDR2和DDR3記憶體的顆粒做成了正方形,而且體積大約只有DDR記憶體顆粒的三分之一,記憶體PCB上也看不到DDR記憶體晶片上的柱狀金屬觸點,因為其柱狀焊點陣列形式分布在封裝下面,所有的觸點就被“包裹”起來了,外面自然看不到。其優點是有效地縮短了信號的傳導距離

速度與容量:成倍提升

選擇記憶體和CPU搭配的時候就是看記憶體頻寬是否大於或者等於CPU的頻寬,這樣才可以滿足CPU的數據傳輸要求。從頻寬公式(頻寬=位寬×頻率÷8)可以得知,和頻寬關係最緊密的就是頻率。這也是為什麼三代記憶體等效頻率一升再升的原因之一,其目的就是為了滿足CPU的頻寬。

不僅速度上有所提升,而且隨著我們套用的提高,我們也需要更大容量的單根記憶體,DDR時代賣得最火的是512MB和1GB的記憶體,而到了DDR2時代,兩根1GB記憶體就只

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標準配置了,記憶體容量為4GB的電腦也逐漸多了起來。甚至在今後還會有單根8GB的記憶體出現。這說明了人們的對記憶體容量的要求在不斷提高。

延遲值:一代比一代高

任何記憶體都有一個CAS延遲值,這就好像甲命令乙做事情,乙需要思考的時間一樣。一般而言,記憶體的延遲值越小,傳輸速度越快。從DDR、DDR2、DDR3記憶體身上看到,雖然它們的傳輸速度越來越快,頻率越來越高,容量也越來越大,但延遲值卻提高了,譬如DDR記憶體的延遲值(第一位數值大小最重要,普通用戶關注第一位延遲值就可以了)為1.5、2、2.5、3;而到了DDR2時代,延遲值提升到了3、4、5、6;到了DDR3時代,延遲值也繼續提升到了5、6、7、8或更高。

功耗:一次又一次降低

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電子產品要正常工作,肯定要有電。有電,就需要工作電壓,該電壓是通過金手指從主機板上的記憶體插槽獲取的,記憶體電壓的高低,也反映了記憶體工作的實際功耗。一般而言,記憶體功耗越低,發熱量也越低,工作也更穩定。DDR記憶體的工作電壓為2.5V,其工作功耗在10W左右;而到了DDR2時代,工作電壓從2.5V降至1.8V;到了DDR3記憶體時代,工作電壓從1.8V降至1.5V,相比DDR2可以節省30%~40%的功耗。為此我們也看到,從DDR記憶體發展到DDR3記憶體,儘管記憶體頻寬大幅提升,但功耗反而降低,此時記憶體的超頻性、穩定性等都得到進一步提高。

製造工藝:不斷提高

從DDR到DDR2再到DDR3記憶體,其製造工藝都在不斷改善,更高的工藝水平會使記憶體電氣性更好,成本更低。譬如DDR記憶體顆粒廣泛採用0.13微米製造工藝,而DDR2顆粒採用了0.09微米製造工藝,DDR3顆粒則採用了全新65nm製造工藝(1微米=1000)。

計算機術語

21世紀是網路和信息化的世紀,電腦的發展改變著人們的生活。通過了解計算機術語,能更清楚的認識計算機,更好的運用計算機。

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