郭維廉

郭維廉，1929年生，天津靜海人，1952年畢業於清華大學物理系。

基本信息

• 中文名：郭維廉
• 出生日期：1929年
• 性別：男
• 籍貫：天津靜海
• 國籍：中國
• 畢業院校：清華大學

詳細

天津大學電子工程系微電子技術專業學術帶頭人，教授。長期從事半導體器件研究。主要成果有：首次在國內研製成PECVD氮化矽抗反射膜 MIS矽單晶和多晶太陽電池；提出 P—N結擊穿電壓蠕變新的物理模型，達到國際領先水平，並以此作指導解決了變容二極體的電壓蠕變問題；在澳大利亞訪問時研製成當時hFE最高(30000)的 MIS隧道發射極矽電晶體，可用於提高增益電路；採用多晶矽發射極結構研製出在一55℃、100℃範圍內 hFE溫度係數小於13％的寬溫區電晶體和在77K、 hFE近300的矽低溫電晶體，後者可用於 CdTeHg探測器前放電路；曾提出並研製成一種具有雙負阻特性，正阻易調，與 CMOS工藝相近的新型三端負陽器件；並研製成大功率LBT負阻器件

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發現了 DUBAT負阻器件的雙負阻特性和壓(流)控調頻效應，此類器件可用於逆變電源、節能燈、電機調速等領域。曾獲得天津市科技進步二等獎、三等獎各1次。