氮化鉭電阻薄膜

talum n resistan 一種鉭基中低阻薄膜。

tantalum nitride resistance film
一種鉭基中低阻薄膜。主成分為氮化鉭。具有熔點高(3090℃)、電阻溫度係數小和穩定性高的特點。電阻率180～220μΩ/cm，方阻50～100Ω，TCR<-50×10-6/℃。採用濺射法工藝製備。用於製作中低阻薄膜元件。