高頻三極體

高頻三極體

高頻三極體一般套用在VHF、UHF、CATV、無線遙控、射頻模組等高頻寬頻低噪聲放大器上,這些使用場合大都用在低電壓、小信號、小電流、低噪聲條件下,其功率最大2.25瓦,集電極電流最大500毫安。

簡介

高頻三極體一般套用在 VHF,UHF,CATV,無線遙控、射頻模組等高頻寬頻低噪聲放大器上,這些使用場合大都用在低電壓、小信號、小電流、低噪聲條件下,其功率最大 2.25瓦,集電極電流最大 500 毫安。

其在使用過程中的選用原則為:

(1)當三極體使用的環境溫度高於30℃時,耗散功率Pcm應降額60-80%使用。

(2)三極體應儘量遠離發熱元件,以保證三極體能穩定正常地工作。

(3)在三極體的參數中,有一些參數容易受溫度的影響如iceo、ubeo和β值。其中iceo和ubeo隨溫度變化而變化的情況如下:

①溫度每升高6℃,矽管的iceo將增加一倍;

②溫度每升高l0℃,鍺管的iceo將增加一倍;

③矽管ubeo隨溫度的變化量約為1·7mv/℃。

(4)如果使用在3V、5V的低電壓的情況下,擊穿電壓不要選擇的太大,擊穿電壓過大(高於15V),其在低壓時的線性就不好,反而影響使用。

(5)輸入信號較弱時,建議在初級放大使用插入增益小一些的2SC3356,次級放大選用增益大些的BFQ591或者2SC3357。

(6)選用的高頻三極體的特徵頻率fT應為實際使用頻率的六到八倍(至少3倍以上),以減小使用時的插入噪聲以及提高增益。

(7)在高頻或微波電路中使用的三極體,為了減小寄生效應,引出線應儘量短,最好使用表面貼封裝形式。

(9)為防止功率三極體出現二次擊穿,應儘量避免採用電抗成分過大的負載。

(10)在能滿足整機要求放大參數的前提下,選用插入增益與直流放大係數hfe合適的三極體,以防產生自激。一般的,初級放大要求插入增益較小,其直流放大係數hfe要選擇較大的,次級放大要求插入增益較大,其直流放大係數hfe不宜過大。

(11)高頻三極體在接人電路時,應先接通基極。在集電極和發射極有電壓時,不要斷開基極電路。

(12)高頻三極體的種類很多,因此應根據具體電路的要求來確定三極體的類型,然後根據三極體的主要參數進行選用。

國外品牌的高頻三極體市場占有量較大。因為其晶片生產技術難度大於大規模積體電路,國內生產高頻三極體晶片的廠家很少,下面就進口高頻三極體與國產高頻三極體對比列表如下:

型號 Model 對應國外品牌 封裝形式 Package VCBO VCEO VEBO IC PT hFE@VCE/IC fT@VCE/IC S21 GUM/NF
V V V m A mW min max V/mA TYP V/mA dB dB
2SC3356 NEC SC59 20 12 3 100 200 60 250 10/20 7 10/20 11.5 /1.1
2SC3356 SOT23 20 12 3 100 200 60 250 10/20 7 10/20 11.5 /1.1
2SC3357 NEC SOT89 20 12 3 100 1200 50 300 10/20 7 10/20 9 /1.1
2SC3355 NEC TO92 20 12 3 100 600 50 300 10/20 7 10/20 9.5 /1.1
2SC4226 SC59 20 12 3 100 200 40 250 3/7 4.5 3/7 9 /1.2
2SC4226 NEC SOT23 20 12 3 100 200 40 250 3/7 4.5 3/7 9 /1.2
2SC4226 NEC SOT323 20 12 3 100 150 40 250 3/7 4.5 3/7 9 /1.2
2SC4227 NEC SOT323 20 10 1.5 65 150 40 250 3/7 7 3/7 12 /1.4
2SC4228 NEC SOT323 20 10 1.5 35 150 50 250 10/28 8 10/28 7.5 /1.9
2SC3838 NEC SC59 20 11 3 50 200 60 300 10/5 3.2 10/5 . /3.5
2SC3838 SOT23 20 11 3 50 200 60 300 10/5 3.2 10/5 /3.5
BFQ591 PHILIPS SOT89 20 15 3 200 2250 60 250 8/70 7 8/70 10 11/
PBR951 PHILIPS SOT23 20 15 1.5 100 365 50 200 6/5 8 6/5 14/1.3
BFQ67/67X/67XR PHILIPS SOT143B 20 10 2.5 50 380 60 250 5/15 8 5/15 17/1.7
BFR93A PHILIPS SOT23 15 12 2 35 300 40 250 5/30 6 5/30 13/1.9
BFR93 PHILIPS SOT23 15 12 2 35 300 40 250 5/30 5 5/30 16.5/
BFR520 PHILIPS SOT23 20 15 2.5 120 500 60 250 8/40 9 8/40 13 14/1.3
BFR540 PHILIPS SOT23 20 15 2.5 120 500 60 250 8/40 9 8/40 13 14/1.3
BFG520/X/XR PHILIPS SOT143B 20 15 2.5 70 300 60 250 6/20 9 6/20 18 19/1.1
BFS520 PHILIPS SOT323 20 15 2.5 70 300 60 250 6/20 9 6/20 15/1.1
BFQ540 PHILIPS SOT89 20 15 2 120 1200 60 250 8/40 9 8/40 13 /1.9
BFG540/X/XR PHILIPS SOT143B 20 15 2.5 120 400 100 250 8/40 7 8/40 16 18/1.3
BFS540 PHILIPS SOT323 20 15 2.5 120 500 60 250 8/40 9 8/40 14/1.3

超高頻低噪聲功率管是一種基於N型外延層的電晶體,具有高功率增益、低噪聲的功率特性以及大動態範圍和理想的電流特性。主要套用於VHF,UHF,CATV,無線遙控、射頻模組等高頻寬頻低噪聲放大器。

用途

可廣泛套用於(VHF/UHF)移動通信、數據傳輸、安防、遙控線路中作振盪、信號放大、倍頻等作用。

1. 27-40.68MHz 醫用治療儀、高頻焊接設備、模型遙控和傳呼裝置等。

2. 315-440MHz RFID散射式射頻識別系統、無繩電話、遙測發射器(無線溫度計等)、無線耳機、無線對講機、無鑰匙進入系統(汽車遙控、車庫等)。

3. 868-932MHz RFID散射式射頻識別系統、通訊等。

4. 2.4GHz 無繩電話、遙控、PC無線網路、藍牙系統、反射式射頻識別系統。

5. 750MHz、860MHz,上限規定為1GHz 有線電視放大器。

舉例

產品型號:MAP198

代替型號:BFG198

封裝形式:SOT-223

Ft(GHz):8

電壓(v):10

電流I(mA):100

功率(mW):1000

極性:NPN  

區分

高頻三極體的結構多為擴散型管,它的PN結反向擊穿電壓較低。低頻三極體多採用合金型結構,它的PN結反向擊穿電壓較高。可以利用這兩種三極體在結構上的不同,用萬用表不同歐姆擋量程表內電壓的不同,通過檢測PN結是否擊穿來對高、低頻三極體進行判斷測量。具體方法如下:

將萬用表置Rx1k檔,測量發射結的反向電阻(對於NPN型三極體,負表筆接發射極,正表筆接基極;對於PNP型三極體,則正表筆接發射極,負表筆接基極)。然後,將萬用表改至Rx10k再次測量反向電阻。若此時萬用表指針偏轉一個較大的角度,則可判斷被測三極體是高頻管;若萬用表指針偏轉很小的角度,則可判斷被測三極體是低頻管。

需要說明的是,由於三極體PN結反向擊穿電壓大小不同,"再加上不同萬用表內的電池電壓也不相同,這種判斷方法不是很準確的   。

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