高密度存儲器

場效三極體包括一鄰接於該凹陷區域的源／汲極區域；一絕緣 層，覆蓋在該凹陷區域上；一下電容器板，覆蓋在該絕緣層上 ［1］http://www.paten

高密度存儲器-定義

一動態隨機存取存儲器（ＤＲＡＭ）積體電路，包含一確定在一半導體基板內的凹陷區域。此凹陷區域具有自一底面延伸的基本上垂直的邊側。一場效三極體經確定以鄰接於該凹陷區域。一包含有下電容器板、電容介電體及上電容器板的電容器結構，確定在該凹陷區域中、該場效三極體上方，藉此提供較大的電容器表面。

高密度存儲器-特性

一種存儲器裝置，該裝置包括：一半導體基板，包含一凹陷區域，該凸陷區域具有由一底面延伸的側邊；一場效三極體，該 場效三極體包括一鄰接於該凹陷區域的源／汲極區域；一絕緣 層，覆蓋在該凹陷區域上；一下電容器板，覆蓋在該絕緣層上 ，並位於一部分該場效三極體上方，該下電容器板連線至該源 ／汲源區域；一電容器介電體，覆介該下電容器板上；及一上電容器板，覆蓋在該介電層上。