簡介
廣泛用於製作電子功能元件的、多數以氧化物為主成分的燒結體材料。電子陶瓷的製造工藝與傳統的陶瓷工藝大致相同。
電子陶瓷 按功能和用途可以分為五類：絕緣裝置瓷、電容器瓷、鐵電陶瓷、半導體陶瓷和離子陶瓷。
絕緣裝置瓷
簡稱裝置瓷，具有優良的電絕緣性能，用作電子設備和器件中的結構件、基片和外殼等的電子陶瓷。絕緣裝置瓷件包括各種絕緣子、線圈骨架、電子管座、波段開關、電容器支柱支架、積體電路基片和封裝外殼等。對這類瓷的基本要求是介電常數ε低,介質損耗tanδ小，絕緣電阻率ρ高，擊穿強度E 大，介電溫度特性和頻率特性好。此外，還要求有較高的機械強度和化學穩定性。
在這類陶瓷中以滑石瓷和氧化鋁瓷套用最廣。它們的主晶相成分分別為MgSiO3及Al2O3。滑石瓷的電絕緣性優良且成本較低，是用於射電頻段內的典型高頻裝置瓷。氧化鋁瓷是一類電絕緣性更佳的高頻、高溫、高強度裝置瓷。其電性能和物理性能隨 Al2O3含量的增多而提高。常用的有含75％、95％、99％Al2O3的高鋁氧瓷。在一些要求極高的積體電路中,甚至還使用Al2O3含量達99.9％的純剛玉瓷，其性質與藍寶石單晶相近。高鋁氧瓷,尤其是純剛玉瓷的缺點是製造困難,燒成溫度高、價格貴。
裝置瓷中還有一類以氧化鈹 (BeO)為代表的高熱導瓷。含 BeO95％的氧化鈹瓷的室溫導熱率與金屬相同。氧化鈹還具有良好的介電性、耐溫度劇變性和很高的機械強度。其缺點是BeO原料的毒性很大,瓷料燒成溫度高，因而限制了它的套用。氮化硼 (BN)瓷和氮化鋁(AlN)瓷也屬於高熱導瓷，其導熱性雖不及氧化鈹瓷,但無毒,加工性能和介電性能均好，可供高頻大功率電晶體和大規模積體電路中作散熱及絕緣用。
近年來，研製出一類以SiC為基料，摻入少量BeO等雜質的熱壓陶瓷。這種陶瓷絕緣性能優良，熱導率高於純度為99％的氧化鈹瓷。它的熱膨脹係數與矽單晶可在寬溫度範圍內接近一致，可望在功率耗散較大的大規模積體電路中得到套用。
用作碳膜和金屬膜電阻器基體的低鹼長石瓷也是一類重要而價廉的裝置瓷，但其介質損耗較大，不宜在高頻下使用。
電容器瓷
用作電容器介質的電子陶瓷。這類陶瓷用量最大、規格品種也最多。主要的有高頻、低頻電容器瓷和半導體電容器瓷。
高頻電容器瓷
屬於Ⅰ類電容器瓷，主要用於製造高頻電路中的高穩定性陶瓷電容器和溫度補償電容器。構成這類陶瓷的主要成分大多是鹼土金屬或稀土金屬的鈦酸鹽和以鈦酸鹽為基的固溶體（表1）。
電子陶瓷低頻電容器瓷
屬於Ⅱ類電容器瓷，主要用於製造低頻電路中的旁路、隔直流和濾波用的陶瓷電容器。主要特點是介電常數ε 高，損耗角正切較大且tanδ及ε隨溫度的變化率較大。這類陶瓷中套用最多的是以鐵電鈦酸鋇(BaTiO3)為主成分,通過摻雜改性而得到的高ε(室溫下可達20000)和ε的溫度變化率低的瓷料。以平緩相變型鐵電體鈮鎂酸鉛 (PbMg1/3Nb2/3O3)等為主成分的低溫燒結型低頻獨石電容器瓷料，也是重要的低頻電容器瓷。半導體電容器瓷
利用半導體化的陶瓷外表面或晶粒間的內表面(晶界)上形成的絕緣層為電容器介質的電子陶瓷。其中利用陶瓷晶界層的介電性質而製成的邊界層電容器是一類新型的高性能、高可靠的電容器，它的介電損耗小、絕緣電阻及工作電壓高。半導體電容器瓷主要有BaTiO3及SrTiO3兩大類。在以BaTiO3、SrTiO3或二者的固溶體為主晶相的陶瓷中,加入少量主摻雜物(如Dy2O3等)和其他添加物，在特殊的氣氛下燒成後，即可得到N型半導體陶瓷。然後,再在表面上塗覆一層氧化物漿料（如CuO等）,通過熱處理使氧化物向陶瓷的晶界擴散，最終在半導體的所有晶粒之間形成一絕緣層。這種陶瓷的視在介電常數極高（可達 105 以上）、介質損耗小(小於1％)、體電阻率高（高於 1011 歐·厘米）、介質色散頻率高(高於1吉赫)、抗潮性好,是一種高性能、高穩定的電容器介質。鐵電陶瓷
以鐵電性晶體為主晶相的電子陶瓷。已發現的鐵電晶體不下千種，但作為鐵電陶瓷主晶相的主要有鈣鈦礦或準鈣鈦礦型的鐵電晶體或固溶體。
在一定的溫度範圍內晶體中存在著可隨外加電場而轉變方向的自發極化，這就是晶體的鐵電性。當溫度超過某一臨界值──居里溫度TC時，其極化強度下降為零，晶體即失去鐵電性，而成為一般的順電晶體；與此同時，晶體發生鐵電相到順電相的相變。鐵電體的極化強度還隨電場而劇烈變化（圖1）。
電子陶瓷
電子陶瓷鐵電陶瓷的功能多、用途廣。利用其壓電特性可以製成壓電器件，這是鐵電陶瓷的主要套用，因而常把鐵電陶瓷稱為壓電陶瓷。利用鐵電陶瓷的熱釋電特性（在溫度變化時，因極化強度的變化而在鐵電體表面釋放電荷的效應）可以製成紅外探測器件，在測溫、控溫、遙測、遙感以至生物、醫學等領域均有重要套用價值。典型的熱釋電陶瓷有鈦酸鉛(PbTiO3)等。利用透明鐵電陶瓷PLZT(摻鑭的鈦鋯酸鉛)的強電光效應（通過外加電場對透明鐵電陶瓷電疇狀態的控制而改變其光學性質，從而表現出電控雙折射和電控光散射的效應），可以製成雷射調製器、光電顯示器、光信息存儲器、光開關、光電感測器、圖像存儲和顯示器，以及雷射或核輻射防護鏡等新型器件。
半導體陶瓷
通過半導體化措施使陶瓷具有半導電性晶粒和絕緣性（或半導體性）晶界，從而呈現很強的界面勢壘等半導體特性的電子陶瓷。
陶瓷半導體化的方法主要有強制還原法和施主摻雜法（亦稱原子價控法）兩種。兩種方法都是在陶瓷的晶體中形成離子空位等缺陷，從而提供大量導電電子，使陶瓷中的晶粒成為某種類型(通常是 N型)的半導體。而這些晶粒之間的間層為絕緣層或另一類型（P 型）的半導體層。
半導體陶瓷種類很多，其中包括利用半導體瓷中晶粒本身性質製成的各種負溫度係數熱敏電阻；利用晶界性質製成的半導體電容器、ZnO 壓敏電阻器、BaTiO3系正溫度係數熱敏電阻器、CdS/Cu2S太陽能電池；以及利用表面性質製成的各種陶瓷型濕敏電阻器和氣敏電阻器等。表2列出典型的感測器用半導體陶瓷。
電子陶瓷離子陶瓷
快離子導電的電子陶瓷。具有快速傳遞正離子的特性。典型代表是 β-Al2O3 瓷。這種陶瓷在300℃下離子電導率可達0.1/(歐·厘米)，可用來製作較經濟的高比率能量的固體電池，還可製作緩慢放電的高儲能密度的電容器。它是有助於解決能源問題的材料。研究方向
電子陶瓷的研究方向是：①研究陶瓷的組成、結構和原子價鍵特性及其相互關係，以改善電子陶瓷的性能；②研究製造超微粉粒和超純粉粒以及成型、燒結等工藝，以改善電子陶瓷的製造技術；③探討陶瓷中可能存在的各種物理效應，發展新型功能材料及多功能材料；④套用複合材料的理論和技術，研究以陶瓷為主體的結構複合、物理複合和功能複合的材料；⑤套用表面分析、能譜分析和計算機模擬等技術，研究陶瓷中晶粒間界面的組成、結構和性質等。參考書目
沈繼耀等編：《電子陶瓷》，國防工業出版社，北京，1979。許煜寰編：《鐵電與壓電材料》，科學出版社，北京，1978。
