晶體三極體是由2片PN結構成的,它分為集電區,基區和發射區.它的特點是面積很大.(相對於基區和發射區而言).從集電區引出的極點就是集電極.
相關詞條
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集成注入邏輯電路
、集電區是沿晶片的平面方向分布，即從發射極到集電極的電流是在晶片內橫向流動...NPN電晶體基區的同時，即可製作橫向PNP電晶體的發射區和集電區（發射區作為...採用公共發射區的縱向NPN電晶體。它與通常的縱向NPN電晶體不同，其集電區...
集成注入邏輯電路 正文 配圖 相關連線 -
晶體三極體
夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區...大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10...差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成...
基本釋義 發展歷史 工作原理 產品分類 產品參數 -
雙多晶矽電晶體
總面積，使得集電區-基區之間的電容以及集電區-襯底之間的電容得以減小，這可...串聯電阻以外，還採用了選擇離子注入集電區（也稱為基座集電區），以減小集電區-基區的電容；同時，還採用了深槽隔離技術，這可大大減小集電區的寄生電容...
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厄利效應
，中性發射區和集電區為深藍色，集電區相鄰的耗盡區為畫有陰影的淡藍色。從圖1中...窄。在反向偏置電壓的作用下，集電區相鄰的耗盡區也會變寬，寬度超過基區相鄰的耗盡區，因為集電區摻雜低。中性區和耗盡區的寬度的和要保持不變，因為二者...
現象 大信號模型 小信號模型 -
電流-電壓特性曲線
的淡綠色，中性發射區和集電區為深藍色，集電區相鄰的耗盡區為畫有陰影的淡藍色...，中性基區越窄。在反向偏置電壓的作用下，集電區相鄰的耗盡區也會變寬，寬度超過基區相鄰的耗盡區，因為集電區摻雜低。中性區和耗盡區的寬度的和要保持不變...
簡介 厄利效應 歐姆定律 -
NPN電晶體
中間的一層薄半導體）引出基極b；兩側有發射區引出發射極e及集電區引出集電極c。發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電結...地說明. 發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成...
簡介： 如何區分PNP電晶體和NPN電晶體 集成NPN電晶體的beta值 電晶體的歷史 -
smd三極體
電場拉入集電區形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區...。 3、集電區收集電子 由於集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入...
smd三極體簡介 smd三極體特點 smd三極體檢驗 smd三極體原理 -
基區展寬效應
/(qvs) Nc時（Nc是集電區的摻雜濃度），則集電結的負空間電荷層將推移到集電區內，即中性基區進一步展寬到集電區，這就是產生了Kirk效應...的有效措施是：①提高集電區的摻雜濃度，以增大臨界電流密度；②減小集電區的厚度...
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BJT穿通電壓
的耗盡區，則發射區的電子就可以直接漂移到集電區，從而輸出很大的集電極電流...厚度來進行估算。顯然，對於基區摻雜濃度較低於集電區的合金電晶體和基區寬度...平面電晶體，由於基區摻雜濃度高於集電區，則在集電結的反向偏壓增大時，集電結勢壘...
