雙多晶矽電晶體

雙多晶矽電晶體是一種性能優良的微波電晶體，在其結構中採用了兩種多晶矽，是n+多晶矽層。另一種多晶矽是p+多晶矽層，並且還採用了離子注入集電區，以減少集電區-基區的內容。同時還採用了深槽隔離技術，這些措施都都最佳化了系統。

雙多晶矽自對準電晶體是一種性能優良的微波電晶體，因為它具有比較先進的結構，如圖所示。

雙多晶矽自對準電晶體的結構

在其結構中，採用了兩種多晶矽。一種多晶矽是n+多晶矽層，這一方面是用來減小發射區的表面複合速度，以提高發射結注入效率，增大電流增益；另一方面是用來製作n+淺發射區（利用n+多晶矽中雜質的外擴散來形成淺發射結），這可以精確到30nm以內。另外一種多晶矽是p+多晶矽層，利用其中雜質的外擴散來形成p+外基區、並與發射區視窗自對準，這不僅可以減小外基區的電阻，而且也減小了器件的有效總面積，使得集電區-基區之間的電容以及集電區-襯底之間的電容得以減小，這可提高電晶體的頻率特性。
此外，該電晶體中除了設定有埋層、以降低集電極串聯電阻以外，還採用了選擇離子注入集電區（也稱為基座集電區），以減小集電區-基區的電容；同時，還採用了深槽隔離技術，這可大大減小集電區的寄生電容，同時也減小了器件的總面積，這些措施都更加有利於提高工作頻率。