含義
通常指由於初級電子撞擊固體，導致固體內發射電子的過程。
它是製作掃描電子顯微鏡、電子倍增器、光電倍增管及很多真空器件的基礎。掃描電子顯微鏡的次級電子像又是區別不同表面形貌的重要手段，但它的分析深度大約是200┱。
次級電子產額
δ定義為對應於每個初級電子所發射出的次級電子數目，δ的數值與初級電子的能量有關。由固體發射的次級電子依賴於體內和表面的電子結構、入射束的能量及角度以及表面形貌。次級電子發射可認為有三個基本步驟：固體內的電子被激發到高能態；然後在表面附近運動；最後克服表面勢壘逃逸到真空。可將電子在表面附近的傳播和逃逸表面的能力用逃逸深度表示。逃逸深度一般與入射束的能量關係較小，而與樣品種類關係很大。例如對金屬，電子間相互作用強，在傳播過程中能量損失大，逃逸深度小於10nm，電子產額極值δm也較小。對於絕緣體，電子逃逸表面時只有用於激發聲子的能量損失。逃逸深度和δ都比金屬大。
次級電子的動能大多數小於50eV，遠離次級電子能譜主峰，位於1～6eV的峰稱做慢峰。俄歇電子也是次級電子，是強度很低的次級電子，用作表面化學分析。 晶體次級電子
發射的各向異性，與激發電子的能量分布、態密度結構密切相關。降低入射電子能量，可以得到激發到表面共振態的次級電子發射。
參考書目
Hachenberg and W. Brauer, Secondary Electron Emission From Solid, Y. L. Marton, ed., Advances in Electronics and Electron Physics,pp.413～499, Academic Press,New York, 1959.
