簡介
後沉澱，又叫繼沉澱，英文上稱作pastprecipitation，指沉澱操作中，當一種組分析出沉澱後，另一種本來難於析出沉澱的組分，在其表面上相繼析出的現象。
詳細解釋
如果往含有兩種離子M1和M2的溶液中加入沉澱劑P，則M1P立即沉澱,而M2P並不沉澱。但是,當析出的沉澱與母液一起放置時,M2P將在M1P表面上逐漸沉澱,且放置時間越長，M2P析出得越多，這種現象稱後沉澱,又稱繼沉澱。後沉澱使得先沉澱的M1P被M2P所玷污。例如,在Mg2+存在下用過量草酸鹽沉澱Ca2+，草酸鎂並不沉澱,但在草酸鈣陳化過程中，草酸鎂就會在草酸鈣表面上析出，即玷污草酸鈣，又影響了分離效果。在硫化氫系統定性分析中，有時後沉澱相當嚴重。例如，在含有0.01ΜZn2+的鹽酸溶液中通入硫化氫至飽和,硫化鋅並不沉澱;但如果溶液中同時含有Cu2+,就會首先析出硫化銅沉澱。這時若立即過濾，則硫化銅沉澱中含硫化鋅甚微；但若把沉澱與母液一起放置,硫化鋅便會在硫化銅表面上析出,放置時間越長,硫化鋅析出越多，甚至絕大部分Zn2+與硫化銅一起沉澱出來，從而造成陽離子第三組檢出 Zn2+時的“丟失”。產生這種後沉澱的原因可能在於硫化銅沉澱表面具有強烈吸附S2-的傾向，使得硫化銅與溶液界面上的S2- 大大濃集。 後沉澱是玷污沉澱的原因之一。後沉澱與共沉澱的主要區別是：後沉澱引入雜質的量隨沉澱在母液中放置時間的延長而增多；而共沉澱的量受放置時間影響較小。因此，在有後沉澱的體系中要嚴格控制陳化時間。在分離與富集方法中，後沉澱有時是有利的。例如，在酸性介質中，微量In3+可在二硫化錫沉澱之後後沉澱，延長陳化時間可使In3+定量地析出。
