動量弛豫時間

動量弛豫過程的時間常數就稱為動量弛豫時間，能量弛豫過程的時間常數就稱為能量弛豫時間。 由於動量弛豫和能量弛豫的機理（交換動量和交換能量的散射過程）不一定相同，因此同一個半導體中載流子的動量弛豫時間和能量弛豫時間也不一定相等。 一般，在Si中，動量弛豫時間和能量弛豫時間比較接近，但在GaAs等化合物半導體中則相差較大（動量弛豫時間往往要比能量弛豫時間短得多）。

動量弛豫時間（momentum relaxation time）：
對於半導體中的載流子而言，當載流子從一個穩定狀態過渡到另一個穩定狀態的過程即稱為弛豫，存在有動量弛豫和能量弛豫兩種過程，因為動量的變化機理往往不同於能量的變化機理。
動量弛豫時間就是指載流子進行漂移運動時動量發生變化的一種過程的時間。在一定的電場作用下，載流子將通過碰撞[散射]而獲得動量和能量，達到一個穩定的狀態；去掉電場後，載流子也將通過碰撞而失去動量和能量，恢復到原來的狀態。動量弛豫過程的時間常數就稱為動量弛豫時間，能量弛豫過程的時間常數就稱為能量弛豫時間。動量弛豫過程往往是通過載流子與聲學波聲子的散射[碰撞]、交換動量來實現的；而能量弛豫過程則往往是通過載流子與光學波聲子的散射、交換能量後來實現的。
由於動量弛豫和能量弛豫的機理（交換動量和交換能量的散射過程）不一定相同，因此同一個半導體中載流子的動量弛豫時間和能量弛豫時間也不一定相等。一般，在Si中，動量弛豫時間和能量弛豫時間比較接近，但在GaAs等化合物半導體中則相差較大（動量弛豫時間往往要比能量弛豫時間短得多）。半導體中載流子的速度過沖等現象，實際上就是動量弛豫時間遠小於能量弛豫時間所造成的結果。