金屬氧化物半導體積體電路

金屬氧化物半導體積體電路是由金屬、氧化物和半導體場效應管組成的積體電路。簡稱“mos積體電路”。

金屬氧化物半導體積體電路

jīn shǔ yǎnɡ huà wù bàn dǎo tǐ jí chénɡ diàn lù
簡稱“mos積體電路”。由金屬氧化物半導體場效應管組成的積體電路。工藝簡單、輸入阻抗高、集成度高、功耗低,但工作頻率低。主要用於數字電路。分p溝道mos積體電路和n溝道mos積體電路兩種。將兩者互補構成互補型積體電路(cmos)。套用廣泛。一種CMOS結構的超大規模積體電路,可不受配線電容、門輸入電容的影響而高速工作。把電流輸出型門用作傳送側門11,且只在信號的躍遷期間使電容器54充放電,其電流經電流密勒電路55、56放大後流過導通電路15。接收側門31是低輸入阻抗電流輸入型門。該門31的結構為:將CMOS反相器35的輸入輸出端短路連線,其兩個電源連線端分別通過p溝道MOSFET電流密勒電路37、39和n溝道MOSFET電流密勒電路38、41而連線在正和負的電源端子16及17上,兩個電流密勒電路的輸出側連線在導電通路15上。

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