![楊思澤[中科院物理研究所研究員、博士生導師]](/img/e/57e/nBnauM3X1QTM3gzM4QjM1gjN3QTMzUzM3QTOzQTNwAzMwIzL0IzL2UzLt92YucmbvRWdo5Cd0FmL0E2LvoDc0RHa.jpg "楊思澤[中科院物理研究所研究員、博士生導師]")
教育背景
1964.9-1968.6，台灣成功大學機械工程系，大學本科；
1968.9-1970.6，台灣清華大學原子科學研究所，碩士學位；
1972.9-1978.6，美國伯克利加州大學核工程系，核聚變與電漿物理專業，博士學位。
工作簡歷
1970.7-1971.6，台灣空軍通信電子學校；少尉教官，講授高等數學；
1971.7-1972.7，台灣原子能委員會技術處；技術專員，技正；
1972.9-1978.6，美國伯克利加州大學；助教，研究助理；
1978.7-1979.8，Kentex Co., Berkeley, CA, USA；高工；
1979.12至今，中國科學院物理研究所；副研究員，研究員；
1982-1984，中科院合肥電漿研究所熱電子環磁鏡實驗項目負責人；
198年迄今，中科院物理所“波與電漿相互作用”、“電子迴旋波電漿共振加熱研究”、“電漿與材料相互作用研究”等課題組組長。
主要研究方向
低溫電漿與電漿套用基礎研究。過去的主要工作及獲得的成果：成功地將電漿核聚變領域的一些原理和機制用於材料表面改性領域，研製開發出許多具有自主智慧財產權的裝置和技術。首次利用高能量密度電漿束（PHEDP）法製備出類金剛石、氮化鈦、立方氮化硼等薄膜，在陶瓷表面金屬化方面做過許多開創性的工作。首次將電漿源離子注入（PSII）技術套用與材料內表面改性處理，並對其特性進行了系統地實驗研究。在國際著名學術刊物（SCI）上發表論文130餘篇，獲國家專利6項，獲得部級科技進步三等獎1次，國際會議邀請報告4次。
目前研究課題
1.真空弧結合空心陰極弧材料表面改性研究
2.高能量密度電漿槍裝置及材料處理研究
3.管件內壁電漿注入材料改性研究
4.電漿電解沉積製備功能性薄膜
5. 電漿生物醫用材料表面改性及生物相容性研究
6. 大氣壓條件下介質阻擋放電電漿對植物種子處理的研究
目前主持的研究項目有國家自然科學基金項目，863項目，北京市科技計畫項目各一項。
