懸浮區熔法

懸浮區熔法是在20世紀50年代提出並很快被套用到晶體製備技術中。這種方法製備的單晶矽的電阻率非常高，特別適合製作電力電子器件。

懸浮區熔法是在20世紀50年代提出並很快被套用到晶體製備技術中。在懸浮區熔法中，使圓柱形矽棒固定於垂直方向，用高頻感應線圈在氬氣氣氛中加熱，使棒的底部和在其下部靠近的同軸固定的單晶籽晶間形成熔滴，這兩個棒朝相反方向旋轉。然後將在多晶棒與籽晶間只靠表面張力形成的熔區沿棒長逐步向上移動，將其轉換成單晶。
懸浮區熔法製備的單晶矽氧含量和雜質含量很低，經過多次區熔提煉，可得到低氧高阻的單晶矽。如果把這種單晶矽放入核反應堆，由中子嬗變摻雜法對這種單晶矽進行摻雜，那么雜質將分布得非常均勻。這種方法製備的單晶矽的電阻率非常高，特別適合製作電力電子器件。目前懸浮區熔法製備的單晶矽僅占有很小市場份額。