基區擴展電阻

基區擴展電阻rbb’是指雙極型電晶體在發射區的正下方、與結面平行的電阻，因為基極電流IB在發射區下方是不均勻橫向流動的，故這部分基區的電阻是擴展的電阻。

基區擴展電阻RBB’是指雙極型電晶體在發射區的正下方、與結面平行的電阻 (即兩個2 rbb’的並聯電阻)；因為基極電流IB在發射區下方是不均勻橫向流動的 (在流向發射極中央時不斷減小)，故這部分基區的電阻是擴展的電阻。基極擴展電阻上的橫向電壓為 Vbb’ = rbb’ IB。以雙基極條結構為例，基極電阻rb可分為3部分：內基極電阻 (即為擴展電阻rbb’，電流不均勻,), 外基極電阻 (即為歐姆電阻RDB, 電流均勻) 和基極電極接觸下方的基極電阻 (電流均勻, 為歐姆電阻R’)，有 rb = (1/2) (rbb’+ RDB + R’) 。
基極電阻具有許多不良的影響：①影響著電晶體的輸入阻抗；②產生電壓反饋；③因為基極擴展電阻上的橫向電壓，則將引起發射極電流集邊或集中效應；④影響電晶體的功率增益特性；⑤影響電晶體的頻率特性；⑥影響電晶體的電流容量；⑦影響電晶體的噪聲特性、開關特性等。因此, 基極電阻是表征電晶體好壞的一個重要參數, 必須在設計和製造時儘量加以減小。
減小基極電阻的方法大致有如：①減小E-B間距 (對梳狀結構，需增加發射極條數，減小發射極條和基極條的寬長比；對圓形結構, 需增大發射極半徑、減小基極環半徑)；②在保證放大係數的情況下儘量提高基區摻雜濃度；③減小基極歐姆接觸電阻。