（1）基本概念：
在小注入情況下，少數載流子的數量微乎其微，但是由於它們能夠形成很大的濃度梯度，則可以產生出較大的電流，所以它們的的作用卻往往很大（雙極型器件就主要是依靠少數載流子來工作的）。然而，在大注入情況下，就再也不能區分出少數與多數載流子了，這時兩種載流子都對導電具有相同的作用。由於大注入所出現的一些現象或者產生的影響，即稱為大注入效應。
（2）大注入效應：
主要有以下一些大注入效應。
（1）電導調變。即少數載流子對於電導的貢獻與多數載流子同等重要，使得半導體的電導率增大。對於BJT來說，大注入將會使基區電導增加——產生所謂基區電導調變效應（即Webster效應），使得電流放大係數降低。
（2）產生內建電場。由於注入的少數載流子濃度分布不均勻，這與摻雜濃度不均勻的效果一樣，則都將產生內建電場；這種電場有加速少數載流子輸運的作用，從效果來看，就相當於使少數載流子的擴散係數增大一倍。對於BJT，這可加速少數載流子渡越基區的過程，有利於提高電流增益和頻率、速度等性能。
（3）引起發射極電流集邊效應。大注入使得BJT容易出現發射極電流集邊效應(即基極電阻自偏壓效應)，以致發射結面積不能充分利用，這將要影響到器件的大電流工作性能。也因此，BJT的發射極需要採用指條形等較為複雜的圖形，不能簡單地採用增大面積來提高電流。
（4）引起基區展寬效應。對於BJT，大注入還會產生所謂基區展寬效應（即Kirk效應），這將直接影響到器件的增益、頻率和速度等性能。發射極電流集邊效應將有促進基區展寬效應的作用。
