空間電荷
存在於半導體內部局部區域的剩餘電荷即為空間電荷。例如p-n結界面附近處的勢壘區，其中就有空間電荷，並從在勢壘區中產生出相應的內建電場。
空間電荷包含有電離的施主、受主雜質中心的電荷以及載流子（電子和空穴）的電荷。在載流子被內建電場驅趕出空間電荷區——耗盡的近似情況下，空間電荷就只是電離雜質中心的電荷；這時，對於n型半導體，空間電荷主要是電離施主中心的電荷（正電荷）；對於p型半導體，空間電荷則主要是電離受主中心的電荷（負電荷）。一般，空間電荷密度ρ為 ρ = q(p-n+Nd-Na) 。
空間電荷效應
在偏壓等外界作用下，在空間電荷區中，載流子的濃度可能超過或者少於其平衡載流子濃度。例如，對於n-p結，空間電荷區主要在p型一邊（其中的空間電荷基本上都是電離受主的負電荷）；當加上正向電壓時，即有大量電子注入、並通過空間電荷區，則這時在空間電荷區中的電子濃度將超過平衡電子濃度，有np>np=ni；相反，當加上反向電壓時，空間電荷區中的電場增強，驅趕載流子的作用更大，則這時在空間電荷區中的電子濃度將低於平衡電子濃度，有np
