全控型器件

全控型器件

全控型器件又稱為自關斷器件,是指通過控制信號既可以控制其導通,又可以控制其關斷的電力電子器件。這類器件很多,門極可關斷晶閘管,電力場效應電晶體,絕緣柵雙極電晶體均屬於此類。 與之對應的有半控型器件,即通過控制信號過可以控制其導通而不能控制其關斷的電力電子器件。這類器件主要是晶閘管(Thyristor)及其大部分派生器件。

簡介

通過控制信號既可以控制其導通,又可以控制其關斷的電力電子器件被稱為全控型器件,又稱為自關斷器件;這類器件很多,門極可關斷晶閘管(Gate-Turn-Off Thyristor—GTO),電力場效應電晶體(Power MOSFET),絕緣柵雙極電晶體(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)均屬於此類 。

門極可關斷晶閘管(GTO)

門極可關斷晶閘管(Gate-Turn-Off Thyristor—GTO)也是晶閘管(Thyristor)的一種派生器件,但可以通過在門極施加負脈衝使其關斷,因而屬於全控型器件;它和普通晶閘管一樣,也是PNPN四層結構,外部引出三個極,陽極,陰極和門極;工作條件同普通晶閘管;其主要用於兆瓦級以上的大功率場合。

全控型器件 全控型器件
門極可關斷晶閘管(Gate-Turn-Off Thyristor 門極可關斷晶閘管(Gate-Turn-Off Thyristor

電力場效應電晶體(Power MOSFET)

電力MOS場效應管通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱電力MOSFET(Power MOSFET)。

結型電力場效應電晶體一般稱作靜電感應電晶體(Static Induction Transistor——SIT)。 是一種單極型的電壓控制全控型器件。

特點——用柵極電壓來控制漏極電流

輸入阻抗高,驅動電路簡單,需要的驅動功率小。

開關速度快,工作頻率高。

熱穩定性優於GTR。

電流容量小,耐壓低,一般只適用於功率不超過10kW的電力電子裝置 。

電力MOSFET的種類

按導電溝道可分為P溝道和N溝道。

耗盡型——當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道。

增強型——對於N(P)溝道器件,柵極電壓大於(小於)零時才存在導電溝道。

電力MOSFET主要是N溝道增強型。

電力MOSFET的結構

小功率MOS管是橫嚮導電器件。

電力MOSFET大都採用垂直導電結構,又稱為VMOSFET(Vertical MOSFET)。

按垂直導電結構的差異,分為利用V型槽實現垂直導電的VVMOSFET和具有垂直導電雙擴散MOS結構的VDMOSFET(Vertical Double-diffused MOSFET)。

這裡主要以VDMOS器件為例進行討論。

電力MOSFET的工作原理(N溝道增強型VDMOS)

截止:漏源極間加正電源,柵源極間電壓為零。

P基區與N漂移區之間形成的PN結J1反偏,漏源極之間無電流流過。

導電:在柵源極間加正電壓UGS

當UGS大於UT時,P型半導體反型成N型而成為反型層,該反型層形成N溝道而使PN結J1消失,漏極和源極導電 。

電力MOSFET的基本特性

(1)靜態特性

漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關係稱為MOSFET的轉移特性。

ID較大時,ID與UGS的關係近似線性,曲線的斜率定義為跨導Gfs。

(2)MOSFET的漏極伏安特性(即輸出特性):

截止區(對應於GTR的截止區)

飽和區(對應於GTR的放大區)

非飽和區(對應GTR的飽和區)

工作在開關狀態,即在截止區和非飽和區之間來迴轉換。

漏源極之間有寄生二極體,漏源極間加反向電壓時導通。

通態電阻具有正溫度係數,對器件並聯時的均流有利。

(3)動態特性

開通過程

開通延遲時間td(on)

上升時間tr

開通時間ton——開通延遲時間與上升時間之和

關斷過程

關斷延遲時間td(off)

下降時間tf

關斷時間toff——關斷延遲時間和下降時間之和

MOSFET的開關速度

MOSFET的開關速度和Cin充放電有很大關係。

可降低驅動電路內阻Rs減小時間常數,加快開關速度。

不存在少子儲存效應,關斷過程非常迅速。

開關時間在10~100ns之間,工作頻率可達100kHz以上,是主要電力電子器件中最高的。

場控器件,靜態時幾乎不需輸入電流。但在開關過程中需對輸入電容充放電,仍需一定的驅動功率。

開關頻率越高,所需要的驅動功率越大。

電力MOSFET的主要參數

除跨導Gfs、開啟電壓UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外還有:

(1)漏極電壓UDS——電力MOSFET電壓定額

(2)漏極直流電流ID和漏極脈衝電流幅值IDM——電力MOSFET電流定額

(3)柵源電壓UGS—— UGS>20V將導致絕緣層擊穿 。

(4)極間電容——極間電容CGS、CGD和CDS

場效應管

場效應管(Fjeld Effect Transistor簡稱FET )是利用電場效應來控制半導體中電流的一種半導體器件,故因此而得名。場效應管是一種電壓控制器件,只依靠一種載流子參與導電,故又稱為單極型電晶體。與雙極型晶體三極體相比,它具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、抗輻射能力強、功耗小、製造工藝簡單和便於集成化等優點。

場效應管有兩大類,結型場效應管JFET和絕緣柵型場效應管IGFET,後者性能更為優越,發展迅速,套用廣泛。

一、結構與分類

N溝道結型場效應管是在同一塊N型矽片的兩側分別製作摻雜濃度較高的P型區(用P 表示),形成兩個對稱的PN結,將兩個P區的引出線連在一起作為一個電極,稱為柵極(g),在N型矽片兩端各引出一個電極,分別稱為源極(s)和漏極(d)。在形成PN結過程中,由於P 區是重摻雜區,所以N一區側的空間電荷層寬度遠大 。

二、工作原理

N溝道和P溝道結型場效應管的工作原理完全相同,只是偏置電壓的極性和載流子的類型不同而已。下面以N溝道結型場效應管為例來分析其工作原理。電路如圖Z0123所示。由於柵源間加反向電壓,所以兩側PN結均處於反向偏置,柵源電流幾乎為零。漏源之間加正向電壓使N型半導體中的多數載流子-電子由源極出發,經過溝道到達漏極形成漏極電流ID。

1.柵源電壓UGS對導電溝道的影響(設UDS=0)

在圖Z0123所示電路中,UGS <0,兩個PN結處於反向偏置,耗盡層有一定寬度,ID=0。若|UGS| 增大,耗盡層變寬,溝道被壓縮,截面積減小,溝道電阻增大;若|UGS| 減小,耗盡層變窄,溝道變寬,電阻減小。這表明UGS控制著漏源之間的導電溝道。當UGS負值增加到某一數值VP時,兩邊耗盡層合攏,整個溝道被耗盡層完全夾斷。(VP稱為夾斷電壓)此時,漏源之間的電阻趨於無窮大。管子處於截止狀態,ID=0。

2.漏源電壓UGS對漏極電流ID的影響(設UGS=0)

當UGS=0時,顯然ID=0;當UDS>0且尚小對,P N結因加反向電壓,使耗盡層具有一定寬度,但寬度上下不均勻,這是由於漏源之間的導電溝道具有一定電阻,因而漏源電壓UDS沿溝道遞降,造成漏端電位高於源端電位,使近漏端PN結上的反向偏壓大於近源端,因而近漏端耗盡層寬度大於近源端。顯然,在UDS較小時,溝道呈現一定電阻,ID隨UDS成線性規律變化;若UGS再繼續增大,耗盡層也隨之增寬,導電溝道相應變窄,尤其是近漏端更加明顯。

由於溝道電阻的增大,ID增長變慢了(如圖曲線AB段),當UDS增大到等於|VP|時,溝道在近漏端首先發生耗盡層相碰的現象。這種狀態稱為預夾斷。這時管子並不截止,因為漏源兩極間的場強已足夠大,完全可以把向漏極漂移的全部電子吸引過去形成漏極飽和電流IDSS (這種情況如曲線B點):當UDS>|VP|再增加時,耗盡層從近漏端開始沿溝道加長它的接觸部分,形成夾斷區 。

由於耗盡層的電阻比溝道電阻大得多,所以比|VP|大的那部分電壓基本上降在夾斷區上,使夾斷區形成很強的電場,它完全可以把溝道中向漏極漂移的電子拉向漏極,形成漏極電流。因為未被夾斷的溝道上的電壓基本保持不變,於是向漏極方向漂移的電子也基本保持不變,管子呈恆流特性(如曲線BC段)。但是,如果再增加UDS達到BUDS時(BUDS稱為擊穿電壓)進入夾斷區的電子將被強電場加速而獲得很大的動能,這些電子和夾斷區內的原子碰撞發生鏈鎖反應,產生大量的新生載流予,使ID急劇增加而出現擊穿現象(如曲線CD段)。

由此可見,結型場效應管的漏極電流ID受UGS和UDS的雙重控制。這種電壓的控制作用,是場效應管具有放大作用的基礎。

三、特性曲線

1.輸出特性曲線

輸出特性曲線是柵源電壓UGS取不同定值時,漏極電流ID 隨漏源電壓UDS 變化的一簇關係曲線,如圖Z0124所示。由圖可知,各條曲線有共同的變化規律。UGS越負,曲線越向下移動)這是因為對於相同的UDS,UGS越負,耗盡層越寬,導電溝道越窄,ID越小。

由圖還可看出,輸出特性可分為三個區域即可變電阻區、恆流區和擊穿區。

◆可變電阻區:預夾斷以前的區域。其特點是,當0<UDS<|VP|時,ID幾乎與UDS呈線性關係增長,UGS愈負,曲線上升斜率愈小。在此區域內,場效應管等效為一個受UGS控制的可變電阻。

◆恆流區:圖中兩條虛線之間的部分。其特點是,當UDS>|VP|時,ID幾乎不隨UDS變化,保持某一恆定值。ID的大小隻受UGS的控制,兩者變數之間近乎成線性關係,所以該區域又稱線性放大區。

◆擊穿區:右側虛線以右之區域。此區域內UDS>BUDS,管子被擊穿,ID隨UDS的增加而急劇增加。

2.轉移特性曲線

當UDS一定時,ID與UGS之間的關係曲線稱為轉移特性曲線。實驗表明,當UDS>|VP|後,即恆流區內,ID 受UDS影響甚小,所以轉移特性通常只畫一條。在工程計算中,與恆流區相對應的轉移特性可以近似地用下式表示:Id=Idss(1-Ugs/Vp)(1-Ugs/Vp)

式GS0127中VP≤UGS≤0,IDSS是UGS=0時的漏極飽和電流 。

絕緣柵雙極電晶體(IGBT)

■IGBT的結構和工作原理

◆IGBT的結構

☞是三端器件,具有柵極G、集電極C和發射極E。

☞由N溝道VDMOSFET與雙極型電晶體組合而成的IGBT,比VDMOSFET多一層P+注入區,實現對漂移區電導率進行調製,使得IGBT具有很強的通流能力。

☞簡化等效電路表明,IGBT是用GTR與MOSFET組成的達林頓結構,相當於一個由MOSFET驅動的厚基區PNP電晶體。

RN 為電晶體基區內的調製電阻。

◆IGBT的工作原理

☞IGBT的驅動原理與電力MOSFET基本相同,是一種場控器件。

☞其開通和關斷是由柵極和發射極間的電壓UGE決定的。

√當UGE為正且大於開啟電壓UGE(th)時,MOSFET內形成 溝道,並為電晶體提供基極電流進而使IGBT導通。

√當柵極與發射極間施加反向電壓或不加信號時,MOSFET內的溝道消失,電晶體的基極電流被切斷,使 得IGBT關斷。

☞電導調製效應使得電阻RN減小,這樣高耐壓的IGBT也具有很小的通態壓降。

■IGBT的基本特性

◆靜態特性

轉移特性描述的是集電極電流IC與柵射電壓UGE之間的關係。

開啟電壓UGE(th)是IGBT能實現電導調製而導通的最低柵射電壓,隨溫度升高而略有下降。

IGBT的轉移特性和輸出特性

a) 轉移特性

◆IGBT的特性和參數特點可以總結如下:

☞開關速度高,開關損耗小。

☞在相同電壓和電流定額的情況下,IGBT的安全工作區比GTR大,而且具有耐脈衝電流衝擊的能力。

☞通態壓降比VDMOSFET低,特別是在電流較大的區域。

☞輸入阻抗高,其輸入特性與電力MOSFET類似。

☞與電力MOSFET和GTR相比,IGBT的耐壓和通流能力還可以進一步提高,同時保持開關頻率高的特點。

總結

事實表明,無論是電力、機械、礦冶、交通、石油、能源、化工、輕紡等傳統產業,還是通信、雷射、機器人、環保、原子能、航天等高技術產業,都迫切需要高質量、高效率的電能。而電力電子正是將各種一次能源高效率地變為人們所需的電能,實現節能環保和提高人民生活質量的重要手段,它已經成為弱電控制與強電運行之間、信息技術與先進制造技術之間、傳統產業實現自動化、智慧型化改造和興建高科技產業之間不可缺少的重要橋樑。而新型電力電子器件的出現,總是帶來一場電力電子技術的革命。電力電子器件就好像現代電力電子裝置的心臟,它對裝置的總價值,尺寸、重量、動態性能,過載能力,耐用性及可靠性等,起著十分重要的作用 。

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