電晶體歷史

電晶體歷史,名1947年12月16日:威廉·邵克雷(William Shockley)、約翰·巴頓(John Bardeen)和沃特·布拉頓(Walter Brattain)成功地在貝爾實驗室製造出第一個電晶體。

電晶體歷史 電晶體歷史

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名1947年12月16日:威廉·邵克雷(William Shockley)、約翰·巴頓(John Bardeen)和沃特·布拉頓(Walter Brattain)成功地在貝爾實驗室製造出第一個電晶體。

1950年:威廉·邵克雷開發出雙極電晶體(Bipolar Junction Transistor),這是現在通行的標準的電晶體。

1953年:第一個採用電晶體的商業化設備投入市場,即助聽器。

1954年10月18日:第一台電晶體收音機Regency TR1投入市場,僅包含4隻鍺電晶體。

1961年4月25日:第一個積體電路專利被授予羅伯特·諾伊斯(Robert Noyce)。最初的電晶體對收音機和電話而言已經足夠,但是新的電子設備要求規格更小的電晶體,即積體電路。

1965年:摩爾定律誕生。當時,戈登·摩爾(Gordon Moore)預測,未來一個晶片上的電晶體數量大約每年翻一倍(10年後修正為每兩年),摩爾定律在Electronics Magazine雜誌一篇文章中公布。

1968年7月:羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾從仙童(Fairchild)半導體公司辭職,創立了一個新的企業,即英特爾公司,英文名Intel為“集成電子設備(integrated electronics)”的縮寫。

1969年:英特爾成功開發出第一個pmos矽柵電晶體技術。這些電晶體繼續使用傳統的二氧化矽柵介質,但是引入了新的多晶矽柵電極。

1971年:英特爾發布了其第一個微處理器4004。4004規格為1/8英寸 x 1/16英寸,包含僅2000多個電晶體,採用英特爾10微米PMOS技術生產。

1978年:英特爾標誌性地把英特爾8088微處理器銷售給IBM新的個人電腦事業部,武裝了IBM新產品IBM PC的中樞大腦。16位8088處理器含有2.9萬個電晶體,運行頻率為5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推動英特爾進入了財富(Forture) 500強企業排名,《財富(Forture)》雜誌將英特爾公司評為“七十大商業奇蹟之一(Business Triumphs of the Seventies)”。

1982年:286微處理器(又稱80286)推出,成為英特爾的第一個16位處理器,可運行為英特爾前一代產品所編寫的所有軟體。286處理器使用了13400個電晶體,運行頻率為6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。

1985年:英特爾386™微處理器問世,含有27.5萬個電晶體,是最初4004電晶體數量的100多倍。386是32位晶片,具備多任務處理能力,即它可在同一時間運行多個程式。

1993年:英特爾®奔騰®處理器問世,含有3百萬個電晶體,採用英特爾0.8微米製程技術生產。

1999年2月:英特爾發布了奔騰®III處理器。奔騰III是1x1正方形矽,含有950萬個電晶體,採用英特爾0.25微米製程技術生產。

2002年1月:英特爾奔騰4處理器推出,高性能桌面桌上型電腦由此可實現每秒鐘22億個周期運算。它採用英特爾0.13微米製程技術生產,含有5500萬個電晶體。

2002年8月13日:英特爾透露了90納米製程技術的若干技術突破,包括高性能、低功耗電晶體,應變矽,高速銅質接頭和新型低-k介質材料。這是業內首次在生產中採用應變矽。

2003年3月12日:針對筆記本的英特爾®迅馳®移動技術平台誕生,包括了英特爾最新的移動處理器“英特爾奔騰M處理器”。該處理器基於全新的移動最佳化微體系架構,採用英特爾0.13微米製程技術生產,包含7700萬個電晶體。

2005年5月26日:英特爾第一個主流雙核處理器“英特爾奔騰D處理器”誕生,含有2.3億個電晶體,採用英特爾領先的90納米製程技術生產。

2006年7月18日:英特爾®安騰®2雙核處理器發布,採用世界最複雜的產品設計,含有17.2億個電晶體。該處理器採用英特爾90納米製程技術生產。

2006年7月27日:英特爾®酷睿™2雙核處理器誕生。該處理器含有2.9億多個電晶體,採用英特爾65納米製程技術在世界最先進的幾個實驗室生產。

2006年9月26日:英特爾宣布,超過15種45納米製程產品正在開發,面向台式機、筆記本和企業級計算市場,研發代碼Penryn,是從英特爾®酷睿™微體系架構派生而出。

2007年1月8日:為擴大四核PC向主流買家的銷售,英特爾發布了針對桌面電腦的65納米製程英特爾®酷睿™2四核處理器和另外兩款四核伺服器處理器。英特爾®酷睿™2四核處理器含有5.8億多個電晶體。

2007年1月29日:英特爾公布採用突破性的電晶體材料即高-k柵介質和金屬柵極。英特爾將採用這些材料在公司下一代處理器——英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核處理器以及英特爾®至強®系列多核處理器的數以億計的45納米電晶體或微小開關中用來構建絕緣“牆”和開關“門”,研發代碼Penryn。採用了這些先進的電晶體,已經生產出了英特爾45納米微處理器。

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