陷阱效應

陷阱效應是在有非平衡載流子時發生的效應。雜質能級積累非平衡載流子的作用就稱為陷阱效應。平常矽中的氧原子處於晶格的間隙位置﹐經450℃左右熱處理使間隙位置的氧原子聚合起來﹐構成SiO4的矽氧複合體。經600℃以上的高溫熱處理﹐又會使這些矽氧複合體消失。矽中少子壽命實際測定值的變化﹐是與矽中矽氧複合體SiO4的濃度變化密切相關的。當SiO4濃度增大﹐少子壽命實際測定值就會增大﹔當SiO4濃度變小﹐少子壽命實際測定值就會變小。空穴陷阱——能積累空穴的雜質或缺陷能級。

基本內容

雜質能級積累非平衡載流子的作用就稱為陷阱效應。

平常矽中的氧原子處於晶格的間隙位置﹐經450℃左右熱處理使間隙位置的氧原子聚合起來﹐構成SiO4的矽氧複合體。經600℃以上的高溫熱處理﹐又會使這些矽氧複合體消失。矽中少子壽命實際測定值的變化﹐是與矽中矽氧複合體SiO4的濃度變化密切相關的。當SiO4濃度增大﹐少子壽命實際測定值就會增大﹔當SiO4濃度變小﹐少子壽命實際測定值就會變小。

陷阱效應是在有非平衡載流子時發生的效應。雜質能級積累某一種非平衡載流子的效應。 陷 阱：有顯著陷阱效應的雜質能級。

電子陷阱——能積累電子的雜質或缺陷能級。空穴陷阱——能積累空穴的雜質或缺陷能級。