絕緣柵場效應電力電晶體

錦州經濟技術開發區累計完成基本建設總投資50億元,先期開發的20平方公里的範圍內實現“六通一平”。 錦州經濟技術開發區地勢平坦,大部分為平地,山地極少,全區最大標高為136m,最小標高為1.12m。 錦州經濟技術開發區現有全日制高中一所、國中二所、國小26所,師資總數442人。

一、項目概述

1、項目名稱

絕緣柵雙極電晶體IGBT

2、預計投資總額

項目總投資1.96億元

項目建成達產後產量2000萬隻

(其中IGBT含IPM100萬隻,MOSFET1900萬隻)

二、廠址選擇及依據

1、項目擬選廠址

項目擬選廠址為錦州經濟技術開發區。

2、交通運輸條件

發達的立體交通:錦州是連線中國東北、華北的交通樞紐,錦州經濟技術開發區交通便利發達,已經形成了中國現代化的海、陸、空立體交通網路。

公路:102國道、京哈高速公路貫穿全區,以七里台為中心,錦州至北京、天津、瀋陽、長春、哈爾濱、阜新、朝陽等地一點四射的高速公路網已形成。開發區距北京460公里,距瀋陽198公里,距阜新117公里,距朝陽93公里。
鐵路:錦州南站坐落區內,正在建設中的我國第一條快速客運雙線電氣化鐵路——秦瀋客運專線穿區而過,並有沈山、錦承、錦赤、溝海、大鄭等8條鐵路幹線在此交匯。12.4公里長的高天地方鐵路與京哈鐵路大動脈相連並直通錦州港碼頭。

海運:錦州港坐落在開發區內,是中國最北端港口,屬國家一類開放商港,是遼西地區及其廣闊腹地通往世界的重要門戶,是遼寧西部、內蒙古東部、黑龍江、吉林兩省西部經濟、合理、便捷的出海口岸。現有十個1~5萬噸級泊位,港口年吞吐能力1600萬噸,具有貨櫃運輸和雜貨、油品及化工產品的裝卸倉儲運輸多種功能。根據中國交通部水運規劃設計院“錦州港總體布局規劃”,錦州港將建港池五個,萬噸以上泊位60個,總吞吐能力6000萬噸以上。錦州港將建成大型油品大港、區域性雜貨港、綜合性貨櫃港。目前二港池正在建設之中,將新增1.5萬~3.5萬噸級泊位13個,到2010實現年吞吐能力2000萬噸,實現再造一個錦州港的目標,屆時,錦州港將成為北方具有第三代港口特徵的多功能區域樞紐港。

航空:錦州機場距開發區僅16公里,現已開通了北京、上海、廣州、深圳、南京、青島、大連、成都、昆明等10多條航線,是遼西地區唯一達到民航4C級標準並可起降大中型客機的機場。

3、項目所在地排水、供熱、通訊、倉儲能力

錦州經濟技術開發區累計完成基本建設總投資50億元,先期開發的20平方公里的範圍內實現“六通一平”。全區共建成城市化道路39條、79.8公里,電話裝機容量達到15000門,日供水能力達到6萬噸,65公里的排水管線均已建成,供電能力達到38000千伏安,集中供熱能力達到150萬平方米,區域綠化面積達到49萬平方米。標準工業廠房、倉儲設施、保稅倉庫已全部交付使用。目前,開發區總體規劃的港口、倉儲、工業、商住、旅遊五個功能小區粗初規模。

4、項目所在地自然環境

錦州經濟技術開發區地勢平坦,大部分為平地,山地極少,全區最大標高為136m,最小標高為1.12m。錦州開發區屬溫帶海洋性季風氣候,年平均氣溫9.4℃,年平均降水541.5mm,無洪水、海嘯、颱風歷史。全區海岸線長17.2公里,近海灘涂2萬畝,耕地8.8萬畝,盛產高粱、玉米、海蟄、對蝦、螃蟹、赤貝,是遼西地區最大的水產品基地和著名的漁米之鄉。

5、項目所在地科研能力及從業人員狀況

錦州經濟技術開發區現有全日制高中一所、國中二所、國小26所,師資總數442人。其中高中已正式更名為“錦州市第四高級中學”,並成為北京師範大學教育教學指導校。目前,正在籌建一所重點國小。錦州是遼寧省科研、教育密集區之一,現有高等院校8所,中等專業學校11所,技工學校13所,職業技術中學80餘所,各類科研機構57所,其中有國家信息產業部53研究所、遼寧工學院、遼寧省郵電設計院和市322研究所等多家電子信息科研機構,錦州已成為全國科技發達地區和中科院“面向世界、面向經濟、面向未來、開發高科技產品”的兩個重點合作地區之一。

三、市場預測

新型電力半導體器件——絕緣柵雙極電晶體(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)是一種集高頻率、高電壓、大電流於一身的新一代理想的電力半導體器件,是電力電子技術的第三次革命的代表產品,填補國內電力電子空白的產品。

中國電力電子市場發展較快,“九五”其間將以15–20%速度發展,1996年電力電子市場總需求量為50億元人民幣,2000年達到130億元人民幣。

預計“十五”期間電力電子器件的年平均增長速度將超過20%,到2005年銷售額將達110億元。MOSFET和IGBT等新型電力電子器件的年平均增長率為25%,較一般電力電子器件的年平均增長率高。

目前,中國市場需求的新型電力電子半導體器件基本依靠進口。2000年國內市場所需MOSFET和IGBT約為1.4億隻,2005年將達5億隻。

四、效益評估

經測算,稅前內部收益率為25.66%;稅後內部收益率為24.26%,均大於行業基準收益率12%。項目達產年稅後利潤為6230萬元,銷售利潤率為20.09%;成本利潤率為27.39%;總投資利潤率25.08%;稅後靜態投資回收期為6.03年,稅後動態投資回收期為7.53年。

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