發射極陷落效應

發射極陷落效應,也稱為發射極推進效應(Emitter-push effect)，這是在Si的n-p-n電晶體製造中出現的一種現象。當在擴散有硼的基區上再擴散磷時，即出現發射區正下方的硼擴散深度要比外基區的擴散深度大，這就是發射極推進效應。
產生這種效應的原因是由於磷-空位對[P+V2-]的離解而引起磷和硼擴散增強的結果。
發射極陷落效應的危害就在於基區寬度不能得到減小，從而影響到電流放大係數以及和頻率和速度特性的提高。