漏極

漏極，柵極（Gate——G，也叫做門極），源極(Source——S)，漏極（Drain——D）場效應電晶體（FieldEffectTransistor縮寫（FET））簡稱場效應管。

漏極

漏極

它屬於電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。

場效應管的結構原理

在兩個高摻雜的P區中間，夾著一層低摻雜的N區（N區一般做得很薄），形成了兩個PN結。在N區的兩端各做一個歐姆接觸電極，在兩個P區上也做上歐姆電極，並把這兩P區連起來，就構成了一個場效應管。如圖所示：

漏極

（a）

N型導電溝道結型場效應管的電路符號。

將兩個P區的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極（g），在N型矽片兩端各引出一個電極，分別稱為源極（s）和漏極（d），很薄的N區稱為導電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器

漏極

漏極

漏極

電壓放大倍數

漏極

輸入電阻

輸出電阻

共漏極放大電路也具有電壓放大倍數小於1，但接近1；輸出電壓與輸入電壓同相；輸入電阻高，輸出電阻低的特點。