氣相光刻

光刻是微細加工的一項關鍵工藝。它是利用塗布在SiO2 表面的光刻膠曝光後溶解度發生變化, 用合適的溶劑作顯影液溶除可溶部分, 然後用腐蝕液將裸露出來的SiO 2 腐蝕掉, 從而得到所需要的光刻圖形。
無顯影氣相光刻是一項新發現的光刻工藝。它在曝光後不經顯影直接送入反應器內用氣相氟化氫進行腐蝕而得到正性光刻圖形。與常規光刻工藝相比, 該工藝由於省去了顯影環節, 具有很多優點。如設備工藝的簡單化、能得到高解析度高縱寬比的光刻圖形等等。目前, 對二氧化矽的無顯影氣相光刻已經可以套用於實際生產中。