劉忠立[研究員]

劉忠立 男，1940年出生，武漢人。研究員。1964年畢業於清華大學半導材料及器件專業。

基本信息

• 中文名：劉忠立
• 出生日期：1940年
• 性別：男
• 出生地：武漢人
• 國籍：中國
• 職業： 研究員
  
• 畢業院校：清華大學半導材料及器件專業

現任中國科學院半導體研究所微電子研究和發展中心主任，兼任研究所學術委員會副主任。自1964年起在中科院半導體研究所工作至今，是我國最早研製出MOSFET及JFET的主要研究人員之一。60年代後期至70年代中期，在優質SiO2生長、檢測以及MOS呂件穩定性和可靠性方面做了很多有意義的工作。1980-1981年在聯邦德國從事新CMOS器件的研究，提出並研製成功的離子注入氮形成隱埋的Si3N4層不用處延矽的CMOS/SOI器件是國際上開創性的工作。1990-1991在聯邦德國HMI研究所從事MOS器件抗輻射物理研究。已在國內外主要刊物上發表了40餘篇論文，著有30萬字專著《CMOS積體電路原理、製造及套用》一本。1980年至今負責抗輻射積體電路及微感測器研究，所負責的“抗輻射CMOS/SOS積體電路”及“長壽命衛星用抗輻射積體電路”研究課題分別獲1987年及1991年中科院科技進步二等獎；1992年獲國防科工委光華基金個人二等獎；1995年負責的國防重點工程抗輻射加固CMOS/SOS積體電路獲中科院科技進步三等獎。擁有發明專利一項。