所情概況
中國科學院半導體研究所[1]是集半導體物理、材料、器件及其套用研究於一體的半導體科學技術的綜合性研究所。半導體所設有：半導體超晶格國家重點實驗室，中國科學院半導體照明研發中心，半導體材料科學中心，半導體材料科學重點實驗室，光電子研究發展中心，半導體集成技術工程研究中心，光電子器件國家工程研究中心，高速電路與神經網路實驗室，表面物理國家重點實驗室（半導體所區），納米光電子實驗室，全固態光源實驗室、光電系統實驗室、圖書信息中心。其中有兩個國家級研究中心，三個國家重點實驗室，一個中國科學院院級研發中心和一個院級重點實驗室。半導體所現有中科鎵英半導體有限公司、揚州中科半導體照明有限公司、蘇州中科半導體集成技術研發中心等合資公司。
為了適應知識創新的需要，經過學科調整和目標凝練，主要研究領域包括：光電子及其集成技術；體材料、薄膜材料、微結構半導體材料科學技術；低維量子體系和量子工程、量子器件的基礎研究；半導體人工神經網路和特種微電子技術。
中國科學院半導體研究所半導體所共有10名中國科學院院士（已故兩位），2名中國工程院院士，其中已故黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學技術獎。
半導體所現有職工640餘人，其中科技人員460餘人，正副研究員及高級工程技術人員198名，千人計畫2人，“百人計畫”入選者及國家“傑青”獲得者35名、國家百千萬人才工程入選者6名。
半導體所是國家首批建立的博士後流動站設站單位和博士、碩士學位授予單位，設有三個博士後流動站、四個博士學科專業點、五個碩士學科專業點。在讀研究生共540餘名，其中博士研究生285名，博士後在站人員近30名，研究生已經成為半導體所科研工作的生力軍。
簡介
1956年，在我國十二年科學技術發展遠景規劃中，半導體科學技術被列為當時國家新技術四大緊急措施之一。為了創建中國半導體科學技術的研究發展基地，國家於1960年9月6日在北京成立中國科學院半導體研究所（以下簡稱半導體所），開啟了中國半導體科學技術的發展之路。半導體所擁有兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；三個國家重點實驗室—半導體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室、表面物理國家重點實驗室（半導體所區）；兩個院級實驗室（中心）—半導體材料科學重點實驗室、中科院半導體照明研發中心。此外，還設有半導體集成技術工程研究中心、光電子研究發展中心、半導體材料科學中心、高速電路與神經網路實驗室、納米光電子實驗室、光電系統實驗室、全固態光源實驗室和半導體能源研究發展中心。並成立了圖書信息中心，為研究所提供科研支撐服務。
半導體研究所現有職工640餘名，其中科技人員460餘名，中國科學院院士8名，中國工程院院士2名，正副研究員及高級工程技術人員198名，“百人計畫”入選者及國家“傑青”獲得者35名、國家百千萬人才工程入選者6名。其中黃昆先生榮獲2001年度國家最高科學技術獎。設有5個碩士學位授予點，3個工程碩士培養點，4個博士學位授予點，3個博士後流動站。
半導體所高度重視國內外交流合作，與地方政府、科研機構、大學和企業等共建了1個院士工作站、3個研發（轉移）中心、9個聯合實驗室，積極為企業和區域經濟社會發展服務。同時積極開展多層次、全方位的國際學術交流與合作，成績顯著，科學技術部和國家外國專家局批准成立“國家級國際聯合研究中心”。並且以自主智慧財產權的專利和專有技術投資，融合社會資本建立了10餘家高技術企業，並實施科
中國科學院半導體研究所
半導體所秉承“以人為本、創新跨越、唯真求實、和諧發展”的辦所理念，奮鬥不息，勇攀高峰，取得了快速發展，研究所已逐漸發展成為集半導體物理、材料、器件研究及其系統集成套用於一體的國家級半導體科學技術的綜合性研究機構。
半導體所的中長期發展戰略目標是：開展與國家發展密切相關的、世界科技前沿的基礎性、前瞻性、戰略性科技創新活動，為發展我國的高新技術提供源源不斷的動力；以國家戰略需求為導向，開展戰略高技術研究，為國民經濟和國防建設提供科技支撐，並為相關行業的技術進步作出貢獻；吸引、聚集和培養國際一流人才；建立具有國際先進水平的、開放的實驗研究和測試平台，實現科技創新能力的跨越和持續發展，成為引領我國半導體科學技術發展的火車頭。
歷史沿革
位於北京林業大學內部，占林大面積40%左右。中國科學院半導體研究所
建所以來，半導體所在我國半導體科技發展的各個歷史階段都曾做出過突出的貢獻。研製出中國第一隻鍺電晶體，矽平面電晶體，固體組件；第一根鍺單晶，矽單晶，砷化鎵單晶；設計製造出第一台矽單晶爐，區熔爐……。直接為國家經濟建設和發展作出了重要貢獻。
目前，所主要研究領域為：
光電子及其集成技術
體、薄膜、微結構半導體材料科學技術
低維量子體系和量子工程、量子器件的基礎研究
半導體人工神經網路和特種微電子技術。
兩院院士
黃昆：中國科學院院士王守武：中國科學院院士
林蘭英：中國科學院院士
王守覺：中國科學院院士
王啟明：中國科學院院士
鄭厚植：中國科學院院士
王占國：中國科學院院士
王圩：中國科學院院士
夏建白：中國科學院院士
梁駿吾：中國工程院院士
陳良惠：中國工程院院士
李樹深：中國科學院院士
現任領導
李樹深：所長、黨委書記陳弘達：副所長
祝寧華：副所長、紀委書記
張春先：副所長
吳曉光：所長助理
王國宏：所長助理
王曉亮：所長助理
曾一平：所長助理
研究生教育
招生規模半導體所2012年預計招收學術型碩士學位研究生95名、專業學位碩士研究生（工程碩士）13名，所有招生專業（含工程碩士）均接收推薦免試生，共擬接收推免生50～60名。
歷年複試分數線
2011年半導體所碩士研究生入學考試複試基本分數線
學科門類
外語
政治
專業課一
專業課二
總分
工學
50
50
90
90
340
理學
50
50
90
90
330
工程
50
50
90
90
320
招生專業
目前，半導體所共有凝聚態物理、材料物理與化學、材料工程、物理電子學等8個專業招生。
學制
實行彈性學制，碩士生學習年限為3年，最長修讀年限（含休學）不得超過4年；博士生學習年限一般為3年，最長修讀年限（含休學）不得超過6年；碩博連讀生學習年限一般為5年，最長修讀年限（含休學）不得超過8年。
