Gummel數

Gummel數可區分為基區的Gummel數和發射區的Gummel數，可以通過對電晶體直流特性的測量來求得。
基區的Gummel數就是單位面積中性基區的摻雜總量。對於基區摻雜不均勻的漂移電晶體，基區的Gummel數就等於基區摻雜濃度對整個基區寬度的積分；特別，對於均勻基區的擴散電晶體，Gummel數就等於摻雜濃度與基區寬度的乘積。
發射區的Gummel數就等於發射區摻雜濃度對整個發射區厚度的積分。
藉助於Gummel數的概念，即可容易把關於均勻摻雜電晶體的關係式，直接推廣到不均勻基區和不均勻發射區的電晶體中去，使得對不均勻摻雜電晶體問題的分析大大簡化。而不均勻基區和不均勻發射區的電晶體具有優良的放大和高頻、高速性能，是現在套用最為廣泛的一種器件（Si平面電晶體就是這種器件）。