GaN晶體

密度6.lg/cm3。 室溫禁頻寬度3.39eV。 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。

周期表第Ⅲ A，VA族元素化合物，原子晶體，半導體。六方晶系釺鋅礦型結構，為直接帶隙半導體。 室溫禁頻寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。採用化學氣相澱積法製備。