魏紅祥

一、基於納米磁性隧道結的新型磁隨機存儲器（MRAM）的設計與製備。 二、高性能磁性隧道結的製備與研究。 三、納米結構圖形的設計、製備與研究。

中國科學院副研究員
魏紅祥，男， 1975 年生， 2007 年畢業於中國科學院物理研究所，獲理學博士學位。 2007 年 7 月就職於中國科學院物理研究所 M02 組，現為副研究員。主要從事自旋電子學方面的基礎研究和套用研究。
代表性工作
一、基於納米磁性隧道結的新型磁隨機存儲器（MRAM）的設計與製備。
參與了課題組設計、製備傳統的 MRAM 的全部過程。課題組設計製備的 MRAM 原理型器件全程基於國內力量，實現了 CMOS 的設計與製備、 CMOS 表面金屬層的精細拋光 (CMP) 、磁性隧道結的集成與測試、樣品的健合與封裝、樣品的性能測試等各個環節。測試結果表明主要技術參數均達到了設計指標。特別值得一提的是，在深入研究和製備傳統的 MRAM 的過程中，與同事一起提出了新型的基於納米環形磁性隧道結的新型 MRAM 。製備出直徑為 100 納米、壁寬為 25-30 納米的圓環形磁性隧道結。這是目前為止壁寬最窄的圓環形磁性隧道結。實現了電流驅動，驅動電流小於 1 毫安。這一研究成果為高密度 MRAM 的開發提供了一條新的途徑，獲得了國際同行的高度評價。
二、高性能磁性隧道結的製備與研究。
通過最佳化工藝條件，利用本實驗室的磁控濺射設備製備出磁電阻比值高達 80 ％的以氧化鋁為勢壘層的磁性隧道結。這一結果保持著目前以氧化鋁為勢壘層的磁性隧道結的最好結果。
三、納米結構圖形的設計、製備與研究。
利用聚焦離子束刻蝕 (FIB) 、電子束曝光 (EBL) 、化學反應刻蝕 (RIE) 、氬離子束刻蝕 (AIE) 等微加工設備製備出直徑為 3 － 5 納米的納米接觸。發展了一種新的利用氮化矽薄膜製備納米接觸的新方法。