面壘型半導體探測器

面壘型半導體探測器是射線測量中半導體探測器的一種類型。套用較多的是金矽面壘型，以經過適當處理的單晶片表面蒸發上一層薄金而製成。這一金屬—半導體界面有整流特性，工作時以塗金層作為陰極，以矽基片另一面被蒸發上一薄層鋁或鎳作為電極接觸引線與電源正極相連。使用時需配以電荷靈敏度的放大器始能檢測其產生的電脈衝信號。