其基本原理是將含有外延材料組分的金屬有機化合物氣體通過載氣輸送到反應室,在一定溫度卜進行外延生長。MOCV 1"l技術主安應少“於班一\,.族U-VT族化合物半導體超晶格量子阱等低維材料生長和多元固溶體的多層異質結構材料的生長,還可用十製備高溫超導薄膜,鐵電薄膜,感測器薄膜.太陽能電池薄膜及其他金屬薄膜:該技術工藝可控,操作簡便及適J!jJ-人規模生產等優點:其缺 點是所Jfl漱材料為易燃劇毒物質二
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有機金屬化學氣相沉積法
有機金屬化學氣相沉積法 (MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition) ,是在基板上成長 半導體 薄膜...
簡介 MOCVD系統簡介 MOCVD組件介紹 特點 -
化學氣相沉積
化學氣相沉積是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相澱積是近幾十年發展...
套用 原理 特點 技術類型 化學氣相沉積技術在材料製備中使用 -
金屬有機物化學氣相沉積
金屬有機物化學氣相沉積(metal organic chemical vapour deposition)是一種利用有機金屬熱分解反應進行氣相外延生長薄...
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CVD[氣相沉積]
CVD是Chemical (5)真空CVD,等。 CVD(Curren
化學氣相沉積 何為cvd? 中國碟片標準(CVD) CVD在電路里指的是電流電壓檢測 -
CVD[化學氣相沉積]
的簡稱,是指高溫下的氣相反應,例如,金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱...:一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進行氣相反應;另一種是使加熱基體...CVD(Chemical Vapor Deposition,化學氣相澱積...
氣相反應 氣相澱積 -
氣相沉積法
化學氣相沉積(CVD)是半導體工業中套用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術,包括大範圍的絕緣材料,大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說,它是很簡單的...
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沉積反應
沉積反應是指一些金屬或非金屬(一般要求製得產物顆粒較小)與合適物質混合形成混合均勻的懸浮液,在充分攪拌的條件下,控制一定的溫度和pH值,使目標產物沉積懸...
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原子層沉積
是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中,新一層原子膜的化學反應是直接與之...
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有機矽化合物化學
有機矽化合物化學是研究有機矽化合物的合成,結構。性能及其套用的一門化學學科,是元素有機化學領域中發展最快的學科。有機矽化合物也是第一個在工業中得到了廣泛...
