氣相反應
CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但不只套用於耐熱物質的塗層，而且套用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。
其技術特徵在於：⑴高熔點物質能夠在低溫下合成；⑵析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；⑶不僅可以在基片上進行塗層，而且可以在粉體表面塗層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。
例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低溫度發展。
CVD工藝大體分為二種：一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進行氣相反應；另一種是使加熱基體表面的原料氣體發生熱分解。
CVD的裝置由氣化部分、載氣精練部分、反應部分和排除氣體處理部分所構成。正在開發批量生產的新裝置。
CVD是在含有原料氣體、通過反應產生的副生氣體、載氣等多成分系氣相中進行的，因而，當被覆塗層時，在加熱基體與流體的邊界上形成擴散層，該層的存在，對於塗層的緻密度有很大影響。圖2所示是這種擴散層的示意圖。這樣，由許多化學分子形成的擴散層雖然存在，但其析出過程是複雜的。粉體合成時，核的生成與成長的控制是工藝的重點。
作為新的CVD技術，有以下幾種：
⑴採用流動層的CVD；
⑵流體床；
⑶熱解射流；
⑷電漿CVD；
⑸真空CVD，等。
套用流動層的CVD如圖3所示，可以形成被覆粒子（例如，在UO2表面被覆SiC、C），套用電漿的CVD同樣也有可能在低溫下析出，而且這種可能性正在進一步擴大。
氣相澱積
簡介
CVD(Chemical Vapor Deposition,化學氣相澱積），指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模積體電路中很多薄膜都是採用CVD方法製備。經過CVD處理後，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕。
特點
沉積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與澱積時間成正比，均勻性，重複性好，台階覆蓋性優良。
製備的必要條件
1） 在沉積溫度下，反應物具有足夠的蒸氣壓，並能以適當的速度被引入反應室；
2） 反應產物除了形成固態薄膜物質外，都必須是揮發性的；
3） 沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓。
