化學氣相沉積技術

化學氣相沉積是製造微電子組件時，被用來沉積出某種薄膜(film)的技術，所沉積出的薄膜可能是介電材料(絕緣體)(dielectrics)、導體、或半導體。 dielectrics）是目前CVD技術最廣泛的套用。 此外、金層化學氣相沉積（包括鎢、鋁、氮化鈦、以及其它金屬等）也是一種熱門的CVD套用。

化學氣相沉積是製造微電子組件時，被用來沉積出某種薄膜(film)的技術，所沉積出的薄膜可能是介電材料(絕緣體)(dielectrics)、導體、或半導體。在進行化學氣相沉積製程時，包含有被沉積材料之原子的氣體，會被導入受到嚴密控制的製程反應室內。當這些原子在受熱的昌圓表面上起化學反應時，會在晶圓表面產生一層固態薄膜。而此一化學反應通常必須使用單一或多種能量源(例如熱能或無線電頻率功率)。
CVD製程產生的薄膜厚度從低於0.5微米到數微米都有，不過最重要的是其厚度都必須足夠均勻。較為常見的CVD薄膜包括有：
■ 二氣化矽（通常直接稱為氧化層）
■ 氮化矽
■ 多晶矽
■ 耐火金屬與這類金屬之其矽化物
可作為半導體組件絕緣體的二氧化矽薄膜與電漿氮化物介電層（plasmas nitride dielectrics）是目前CVD技術最廣泛的套用。這類薄膜材料可以在晶片內部構成三種主要的介質薄膜：內層介電層（ILD）、內金屬介電層（IMD）、以及保護層。此外、金層化學氣相沉積（包括鎢、鋁、氮化鈦、以及其它金屬等）也是一種熱門的CVD套用。