積累層

當多數載流子從表面注入半導體,且這些額外的多數載流子充當空間電荷時,形成積累層。 半導體表面附近多數載流子濃度大大增高的一個薄層即稱為積累層。 對於處於負電阻狀態下的半導體(如轉移電子器件中的情況),其中多數載流子濃度的局部漲落將會導致多數載流子的大量積累,這也形成積累層;利用積累層的渡越可以產生微波振盪,這是轉移電子器件的一種工作模式。

accumulation layer
當多數載流子表面注入半導體,且這些額外的多數載流子充當空間電荷時,形成積累層
改正和補充:
半導體表面附近多數載流子濃度大大增高的一個薄層即稱為積累層。這一層的導電性比體內要好得多。注意,積累層可採用外電場感應而形成(就像形成反型層——溝道一樣),不能注入載流子來形成(因為多數載流子一般是不能注入的)。例如,在Nwell上加上一個方向朝下的正電場,則這個正電場會把電子吸引到Nwell上表面,在Nwell上表面的電子積累,即為電子的積累層。
對於處於負電阻狀態下的半導體(如轉移電子器件中的情況),其中多數載流子濃度的局部漲落將會導致多數載流子的大量積累,這也形成積累層;利用積累層的渡越可以產生微波振盪,這是轉移電子器件的一種工作模式。

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