砷化鎵太陽能電池

砷化鎵太陽能電池

砷化鎵太陽能電池,指的是以砷化鎵為基體材料的太陽能電池。

基本信息

簡介

砷化鎵太陽能電池砷化鎵太陽能電池
近年來,太陽能光伏發電在全球取得長足發展。常用光伏電池一般為多晶矽和單晶矽電池,然而由於原材料多晶矽的供應能力有限,加上國際炒家的炒作,導致國際市場上多晶矽價格一路攀升,最近一年來,由於受經濟危機影響,價格有所下跌,但這種震盪的現狀給光伏產業的健康發展帶來困難。目前,技術上解決這一困難的途徑有兩條:一是採用薄膜太陽電池,二是採用聚光太陽電池,減小對原料在量上的依賴程度。常用薄膜電池轉化率較低,因此新型的高倍聚光電池系統受到研究者的重視。聚光太陽電池是用凸透鏡或拋物面鏡把太陽光聚焦到幾倍、幾十倍,或幾百倍甚至上千倍,然後投射到太陽電池上。這時太陽電池可能產生出相應倍數的電功率。它們具有轉化率高,電池占地面積小和耗材少的優點。高倍聚光電池具有代表性的是砷化鎵(GaAs)太陽電池GaAs屬於III-V族化合物半導體材料,其能隙與太陽光譜的匹配較適合,且能耐高溫。與矽太陽電池相比,GaAs太陽電池具有較好的性能

特點

1、光電轉化率:

砷化鎵的禁帶較矽為寬,使得它的光譜回響性和空間太陽光譜匹配能力較矽好。目前,矽電池的理論效率大概為23%,而單結的砷化鎵電池理論效率達到27%,而多結的砷化鎵電池理論效率更超過50%。

2、耐溫性

常規上,砷化鎵電池的耐溫性要好於矽光電池,有實驗數據表明,砷化鎵電池在250℃的條件下仍可以正常工作,但是矽光電池在200℃就已經無法正常運行。

3、機械強度和比重

砷化鎵較矽質在物理性質上要更脆,這一點使得其加工時比容易碎裂,所以,目前常把其製成薄膜,並使用襯底(常為Ge[鍺]),來對抗其在這一方面的不利,但是也增加了技術的複雜度。

技術發展現狀

GaAs太陽電池的發展是從上世紀50年代開始的,至今已有已有50多年的歷史。1954年世界上首次發現GaAs材料具有光伏效應。在1956年,LoferskiJ.J.和他的團隊探討了製造太陽電池的最佳材料的物性,他們指出Eg在1.2~1.6eV範圍內的材料具有最高的轉換效率。(GaAs材料的Eg=1.43eV,在上述高效率範圍內,理論上估算,GaAs單結太陽電池的效率可達27%)。20世紀60年代,Gobat等研製了第1個摻鋅GaAs太陽電池,不過轉化率不高,僅為9%~10%,遠低於27%的理論值。20世紀70年代,IBM公司和前蘇聯Ioffe技術物理所等為代表的研究單位,採用LPE(液相外延)技術引入GaAlAs異質視窗層,降低了GaAs表面的複合速率,使GaAs太陽電池的效率達16%。不久,美國的HRL(HughesResearchLab)及Spectrolab通過改進了LPE技術使得電池的平均效率達到18%,並實現了批量生產,開創了高效率砷化鎵太陽電池的新時代[4]。從上世紀80年代後,GaAs太陽電池技術經歷了從LPE到MOCVD,從同質外延到異質外延,從單結到多結疊層結構的幾個發展階段,其發展速度日益加快,效率也不斷提高,目前實驗室最高效率已達到50%(來自IBM公司數據),產業生產轉化率可達30%以上。

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