簡介
砷化鎵太陽能電池特點
1、光電轉化率:砷化鎵的禁帶較矽為寬,使得它的光譜回響性和空間太陽光譜匹配能力較矽好。目前,矽電池的理論效率大概為23%,而單結的砷化鎵電池理論效率達到27%,而多結的砷化鎵電池理論效率更超過50%。
2、耐溫性
常規上,砷化鎵電池的耐溫性要好於矽光電池,有實驗數據表明,砷化鎵電池在250℃的條件下仍可以正常工作,但是矽光電池在200℃就已經無法正常運行。
3、機械強度和比重
砷化鎵較矽質在物理性質上要更脆,這一點使得其加工時比容易碎裂,所以,目前常把其製成薄膜,並使用襯底(常為Ge[鍺]),來對抗其在這一方面的不利,但是也增加了技術的複雜度。
技術發展現狀
GaAs太陽電池的發展是從上世紀50年代開始的,至今已有已有50多年的歷史。1954年世界上首次發現GaAs材料具有光伏效應。在1956年,LoferskiJ.J.和他的團隊探討了製造太陽電池的最佳材料的物性,他們指出Eg在1.2~1.6eV範圍內的材料具有最高的轉換效率。(GaAs材料的Eg=1.43eV,在上述高效率範圍內,理論上估算,GaAs單結太陽電池的效率可達27%)。20世紀60年代,Gobat等研製了第1個摻鋅GaAs太陽電池,不過轉化率不高,僅為9%~10%,遠低於27%的理論值。20世紀70年代,IBM公司和前蘇聯Ioffe技術物理所等為代表的研究單位,採用LPE(液相外延)技術引入GaAlAs異質視窗層,降低了GaAs表面的複合速率,使GaAs太陽電池的效率達16%。不久,美國的HRL(HughesResearchLab)及Spectrolab通過改進了LPE技術使得電池的平均效率達到18%,並實現了批量生產,開創了高效率砷化鎵太陽電池的新時代[4]。從上世紀80年代後,GaAs太陽電池技術經歷了從LPE到MOCVD,從同質外延到異質外延,從單結到多結疊層結構的幾個發展階段,其發展速度日益加快,效率也不斷提高,目前實驗室最高效率已達到50%(來自IBM公司數據),產業生產轉化率可達30%以上。

