簡介
真空鍍設計真空蒸鍍塑膠製品應避免大的平坦表面，銳角和銳邊。凹凸圖案、紋理或拱形表面效果最佳。真空蒸鍍很難獲得光學平面樣製品表面。
不過鍍層附著力比水鍍差很多。
A9手機的面殼鍍銅後鍍LOU，共10μ，鍍LOU層0.18μ。真空電鍍相對於水電鍍來講，表面硬度較低，但污染較小。真空鍍不導電
套用
目前水電鍍在重工業上套用較多（汽車等），而真空電鍍則廣泛套用於家用電器、化妝品包裝。
如果真空電鍍的硬度能達到水電鍍的等級，那么水電鍍將要消失了。
目前很多手機上的金屬外觀件，都採用PVD真空離子鍍，不僅能夠提供漂亮的顏色而且耐磨性很好。不過比較貴，成本較高。
濺射鍍：磁控濺射鍍膜設備：
磁控濺射鍍膜設備是一種多功能、高效率的鍍膜設備。可根據用戶要求配
置鏇轉磁控靶、中頻孿生濺射靶、非平衡磁控濺射靶、直流脈衝疊加式偏壓電源等，
組態靈活、用途廣泛，主要用於金屬或非金屬（塑膠、玻璃、陶瓷等）的工件鍍鋁、
銅、鉻、鈦金、銀及不鏽鋼等金屬膜或非金屬膜及滲金屬DLC膜，所鍍膜層均勻、
緻密、附著力強等特點，可廣泛用於家用電器、鐘錶、工藝美術品、玩具、車燈
反光罩以及儀器儀表等表面裝飾性鍍膜及工模具的功能塗層。
a鏇轉磁控濺射鍍膜機；鏇轉磁控濺射鍍膜技術，是國內外最先進的磁控濺射鍍膜技術，靶材利用率達到70～80%
以上，基體鍍膜均勻，色澤一致。
b平面磁控濺射鍍膜機；
c中頻磁控濺射鍍膜機；
d射頻磁控濺射鍍膜機。
可以在金屬或非金屬（塑膠、玻璃、陶瓷）的工件鍍金屬鋁、銅、鈦金、鋯、銀、不鏽鋼及金屬反應物（氧化
物、氮化物、炭化物）、半導體金屬及反應物。所鍍膜層均勻、緻密、附著力好等特點。
一、 單室/雙室/多室磁控濺射鍍膜機
該鍍膜機主要用於各種燈飾、家電、鍾表、玩具以及美術工藝等行業，在金屬或非金屬（塑膠、玻璃、陶瓷）等
製品鍍制鋁、銅、鉻、鈦、鋯、不鏽鋼等系列裝飾性膜層。
技術指標：
真空室尺寸：可以根據用戶的要求設計成單室或雙室或多室
極限壓力：8×10-4Pa
恢復真空度時間：空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 3或8min（根據用戶要求定）
工作真空度：10～1.0× 10-1Pa
工藝氣體進入裝置：質量流量控制器（可選配自動壓強控制儀）
轉動工件架形式：公 / 自轉工件架
濺射源：矩形平面濺射源（1～4個）/柱狀濺射源（1個）/混合濺射源
可以選配：基片烘烤裝置；反濺射清洗
二、單室/雙室/多室磁控反應濺射鍍膜機
該鍍膜機主要用於太陽能吸熱管所需要的鍍膜塗層（如Al—N/Al或Cu—C/1Cr18Ni9Ti）；高級轎車後視鏡鍍膜
（藍玻）；裝飾仿金、七彩鍍膜；透明導電膜（ITO膜）；保護膜。
技術指標：
真空室尺寸：可以根據用戶的要求設計成單室或雙室或多室
極限壓力：8×10-4Pa
恢復真空度時間：空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 15min（根據用戶要求定）
工作真空度：10～1.0× 10-1Pa
工藝氣體進入裝置：質量流量控制器（可選配自動壓強控制儀）
工作氣路：2路或3路
轉動工件架形式：公 / 自轉工件架
濺射源：矩形平面濺射源（1～4個）/柱狀濺射源（1個）/混合濺射源
三、多功能鍍膜機
設備基本配置：
真空室
工件轉動系統
真空抽氣系統
工作氣體供氣系統
濺射系統：平面濺射/柱狀濺射/中頻濺射/射頻濺射系統
動系統
控制系統
冷卻系統
技術指標：
真空室尺寸：φ600×800 φ850×1000 φ1000×1200 φ1100×1500 可以根據用戶的要求設計成箱式
極限壓力：8×10-4Pa
恢復真空度時間：空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 15min（根據用戶要求定）
工作真空度：10～1.0× 10-1Pa
工藝氣體進入裝置：質量流量控制器（可選配自動壓強控制儀）
工作氣路：2路或4路
轉動工件架形式：公 / 自轉工件架
濺射源：矩形平面濺射源（1～4個）/柱狀濺射源（1個）/中頻濺射源/射頻濺射源/混合濺射源
用途：本設備套用磁控濺射原理，在真空環境下，在玻璃、陶瓷等非金屬；半導體；金屬基體上製備各種金屬膜、合
金膜、反應化合物膜、介質膜等等。
四、實驗系列磁控濺射鍍膜機
技術指標：
真空室：φ450×400
極限壓力：5×10-5Pa
工作壓力：1～1.0× 10-2Pa
真空系統主泵：渦輪分子泵
陰極靶數量：2～5個
工作氣體控制：質量流量控制器，自動壓強控制儀
工作氣路：2路或4路
靶電源：直流磁控濺射源（10000W），
中頻電源（10000W），
射頻電源（2000W）。
工件轉動：行星式公自轉
工件負偏壓：/
性能特點：磁控靶數量多，靶材種類變化大，各種參數變化範圍大，所鍍制膜層有金屬、合金、化合物，可鍍制單
層或多層膜。
五、中頻磁控濺射鍍膜機
中頻磁控濺射鍍膜技術是磁控技術另一新里程碑,是鍍制化合物（氧化物、氮化物、碳化物）系膜的理想設備，
徹底克服了靶打弧和中毒現象,並具濺射速率快、沈積速率高等優點,適合鍍制銦錫合金（ITO）、氧化鋁（AL2O3）
、二氧化矽（SiO2）、氧化鈦（TiO2）、氧化鋯（ZrO2）、氮化矽（Si3N4）等，配置多個靶及膜厚儀,可鍍制多種多
層膜或合金膜層。
六、射頻磁控濺射鍍膜機
具有濺射速率高，能鍍任何材料（導體、半導體和介質材料）。在低氣壓下電漿放電，膜層緻密，針孔少。
主要技術參數
真空室尺寸：F500´450（mm）
極限真空度：優於4´10- 4 Pa （3´10- 6Torr）
濺 射 靶： F 100mm磁控濺射源三隻濺
射功率： 直流5千瓦，射頻2千瓦
