溝道阻止層

溝道阻止層，是MOS工藝中的一個術語，是一層較高摻雜濃度的p型層。

溝道阻止層（Channel stopper）是MOS工藝中的一個術語。
在p型矽襯底上通過熱氧化等平面工藝來製作器件和電路時，往往由於SiO2薄膜中存在有正電荷（Na離子沾污等所致），使得p型矽襯底表面上出現n型寄生溝道而造成短路；為了防止這種n型寄生溝道的產生，就在p型矽襯底的器件有源區以外的表面上注入硼離子（劑量約為1013/cm2），形成一層較高摻雜濃度的p型層，這樣p型層就稱為溝道阻止層。