段瑞飛

段瑞飛，男，1975年6月出生。博士，副研究員，碩士研究生導師。

人物經歷

1997年於內蒙古大學物理系獲得理學學士學位，2000年於北京科技大學材料物理系獲得工學碩士學位，2003年於中國科學院半導體研究所獲得工學博士學位。2003－2005年在中國電子科技集團公司五十五所從事材料生長工作。2005年4月至今在半導體所工作。

研究方向為化合物半導體外延以及其在氮化物LED等光電子器件中的套用，涉及使用MBE、MOCVD、HVPE等方法生長III-V族化合物，主要包括氮化物的同質襯底、LED外延材料以及LED器件製備等領域。

目前承擔863重大項目“半導體照明工程”子課題”HVPE法製備GaN同質襯底“，參與相關863項目以及基金項目等多項。在國內外刊物上發表相關論文十餘篇，申請專利多項。