最高結溫

結是由p型半導體和n 結就存在一個最高的工作溫度，即最高結溫——pn 對於場效應電晶體，由於其結構中也存在pn

最高結溫（Maximum junction temperature）：
pn結是由p型半導體和n型半導體構成的，其中存在勢壘區。而p型半導體或者n型半導體，在較高溫度下都將轉變為本徵半導體，因此pn結就存在一個最高的工作溫度，即最高結溫——pn結勢壘消失時的溫度。
對於雙極型電晶體，功率的耗散(消耗)即將使得承受很高電壓的集電結的結溫升高，當功耗增大到使電晶體的基區轉變為本徵導電時的集電結的溫度，即定為電晶體的最高結溫。Si電晶體的最高結溫為150~200 oC，Ge電晶體的為85~125 oC。為了提高電晶體的輸出功率，就應當降低熱阻和降低環境溫度，以增強散熱能力，使得集電結的結溫不要超過最高結溫。
對於場效應電晶體，由於其結構中也存在pn結（源區和漏區的pn結），所以最高結溫的概念在此同樣適用。