隨著ULSI技術的不斷向前發展，對半導體矽的表面性質要求也越來越嚴格。而且電路的集成度日益提高，單元圖形的尺寸日益微化，污染物對器件的影響也愈加突出，以至於潔淨表面的製備已成為製作64M和256MbyteDRAM的關鍵技術[1,2]。此外有超過50％成品損失率是由矽表面的污染所造成的。
擬乳己糖神經醯胺
擬乳己糖神經醯胺是隨著ULSI技術的不斷向前發展，對半導體矽的表面性質要求也越來越嚴格。而且電路的集成度日益提高，單元圖形的尺寸日益微化，污染物對器件的影響也愈加突出，以至於潔淨表面的製備已成為製作64M和256MbyteDRAM的關鍵技術。此外有超過50%成品損失率是由矽表面的污染所造成的。
