徐稼遲

徐稼遲,男,1940年出生,上海人。高級工程師,從事軍事科學研究,1981年在日本召開的GaAs及其有關化合物材料會議上發表了《磷化銦單晶高壓直接合成》的報告。

基本信息

簡介

高級工程師,民盟盟員。1963年畢業於清華大學。1992年至今任中山集團系統工程公司副總經理。主要業績:1963年畢業後分配到國防科委並參軍,從事軍事科學研究。1963-1965年參加了放射性元素示蹤原子法測定半導體矽中磷的摻雜分布實驗。1965年所在部隊集體轉業,1965-1968年用自己改進的方法測定了高純矽中的微量雜質元素。1969-1971年負責重點工程所需的“PIN管的反外延片生長”,該項目在1978年獲得全國科學大會獎。1970年在矽反外延工藝中,用SiC包石墨工藝的技術革新成功,獲得國防科委通令嘉獎。1980年參與高壓單晶爐的研製,負責單晶爐的工藝設計,高壓單晶爐研製成功後,生長出磷化銦單晶,該項目獲得南京市科技進步二等獎、江蘇省三等獎。1986年被聘為高級工程師,曾參與指導兩名碩士研究生。發表各種學術論文40多篇,其中1981年在日本召開的GaAs及其有關化合物材料會議上發表了《磷化銦單晶高壓直接合成》的報告。1984年任大型工具書《電子工業生產技術手冊》半導體卷編輯部負責人,半導體材料篇的副主編,該書於1986年出版。1989年轉入經營管理工作,任中山集團電子元器件公司常務副總經理。

相關詞條

相關搜尋

熱門詞條

聯絡我們