研究歷史
多孔矽隨後1958年，D.Turner對陽極氧化法成膜的機理進行了研究，並詳細論述了多孔矽薄膜的刻蝕條件及其相關性質。在電化學陽極氧化過程中存在兩種情況，當電流密度大於某個臨界點時（此臨界點與矽片的類型，電阻率，腐蝕液的濃度和成分等因素相關），發生電化學拋光現象，多孔矽薄膜會從矽基底上被剝落下來。當電流密度低於此臨界點時，就會形成具有無數納米量級的矽柱的多孔矽薄膜。
1990年英國科學家Canham用紫外光和氬離子雷射室溫下照射多孔矽表面時，發現其具有強烈的可見光致發光（Photoluminescence，簡稱PL）現象。納米多孔矽中矽的尺寸小於激子的波爾半徑，具有明顯的量子限制效應，使其能帶發生分裂導致其頻寬增大，帶隙能量是矽柱尺寸的函式。但是由於多孔矽是間接帶隙半導體，發射光譜較寬，波長範圍從紫外區到近紅外區，光致發光的量子效率在1%~10%之間。多孔矽光致發光的峰位置和強度與孔隙率有關。孔隙率即是多孔矽層中孔隙體積占被腐蝕矽層總體積的百分數。當孔隙率大於80%時光致發光的能力很強。但是孔隙率大的多孔層其發光衰減較快，不夠穩定。通過光致發光譜的研究可以推知其電子帶隙結構和電子-聲子耦合等。多孔矽還具有良好的反射性能，其反射光譜在一定的波長範圍內的反射率可高至99%。
2016年6月，芬蘭國家技術研究中心（VTT）研究團隊為了把多孔矽變成強大的電容器，團隊創新性地在其表面塗了一層幾納米厚的氮化鈦塗層，使其性質得以改變。在功率密度和能量密度方面，多孔矽新電極裝置比得上最先進的超級電容器。由氧化石墨烯/還原氧化石墨烯製造的晶片微電容器功率密度為200瓦/立方厘米，能量密度為2毫瓦時/立方厘米，而多孔矽新電極裝置功率密度達到214瓦/立方厘米，能量密度為1.3毫瓦時/立方厘米。
