納米矽

納米矽

納米矽指的是直徑小於5納米(10億(1G)分之一米)的晶體矽顆粒。納米矽粉具有純度高,粒徑小,分布均勻等特點。比表面積大,高表面活性,松裝密度低,該產品具有無毒,無味,活性好。納米矽粉是新一代光電半導體材料,具有較寬的間隙能半導體,也是高功率光源材料。納米矽防水劑加水45倍(體積比)直接配製混凝土即可。有防止建築物風化、凍裂及外牆保潔、防污、防霉、防長青苔之功能;質量可靠,耐久性好,耐酸鹼,耐候性優良,對鋼筋無鏽蝕,且使用安全,施工方便。原基層光面時需鑿成麻面,清洗浮灰後,做素灰漿結合層,再抹防水砂漿層。

納米矽粉

主要用途:

可與有機物反應,作為有機矽高分子材料的原料

金屬矽通過提純製取多晶矽。

金屬表面處理。

替代納米碳粉或石墨,作為鋰電池負極材料,大幅度提高鋰電池容量

納米矽防水劑

一、性能特點

白色乳液,無毒,無刺激味,不燃燒,PH值12,密度1.15~1.2。用於磚瓦、水泥、石膏、石灰、塗料、石棉、珍珠岩、保溫板等基面上具有優異的防水抗滲效果。有防止建築物風化、凍裂及外牆保潔、防污、防霉、防長青苔之功能;質量可靠,耐久性好,耐酸鹼,耐候性優良,對鋼筋無鏽蝕,且使用安全,施工方便。砂漿抗滲性能≥S14,混凝土抗滲性能≥S18。技術性能符合JC474-1999[砂漿、混凝土防水劑]標準及JC/T902-2002標準

二、使用方法

1、噴塗施工:

使用前先將基面清理乾淨(特別是油污、青苔),將納米矽防水劑加8倍清水攪拌均勻,用噴霧器或刷子直接在乾燥的基面上施工,縱橫至少連續兩遍(上一遍沒幹時施工第二遍),對於1:2.5砂漿的毛面,大約可滲透1mm深,有效壽命可達5~10年,每公斤本劑每遍可施工約40~50m2,施工後24小時內不得受雨淋水浸,4℃以下停止施工。常溫下乾燥後即有優良的防水效果,一周后效果更佳(冬季固化時間較長)。試驗表明:固化後的防水試塊高溫300℃反覆鍛燒20次及-18℃反覆冷凍20次後,防水效果沒有明顯變化。稀釋液現配現用,當天用完。

2、防水砂漿施工:

清理基層泥沙、雜物、油污等,灰砂比控制在1:2.5~3(425#矽酸鹽水泥、中砂含泥量小於3%);納米矽防水劑加水8-15倍(體積比)可直接用於配製防水砂漿,水灰比≤0.5,實際淨防水劑用量占水泥的3~5%。抹防水層分兩層施工(每層10mm厚);底層先抹素灰漿1mm,再抹防水砂漿層,初凝時壓實,用木抹戳成麻面;抹第二層防水砂漿後趕光壓實。按正常養護或噴灑本公司生產的水泥養護劑。

3、防水混凝土施工:

納米矽防水劑加水45倍(體積比)直接配製混凝土即可。與普通混凝土的施工方法相同。施工後按正常養護或噴灑本公司生產的水泥養護劑。

4、滲漏維修施工:

原基層光面時需鑿成麻面,清洗浮灰後,做素灰漿結合層,再抹防水砂漿層。正在漏水部位必須先堵漏止水。陰陽角要做成圓角,並壓實。留茬要坡形(接茬寬度100~150mm),接茬時先用素灰漿塗刷,再抹防水砂漿層。

三、注意事項

1、作外加劑冬季施工時,可與亞硝酸鈉類防凍劑配合使用。

2、為一般性化學物品,施工人員在貯運及使用中應小心勿濺到面部,尤其不得濺入眼內,否則立即用大量清水沖洗或就醫。操作時戴上乳膠手套、防護眼鏡,穿好工作服,避免本劑接觸皮膚。

3、使用中不得接觸鋅、鋁、錫等較活潑金屬,更不能用金屬容器儲存,以免發生化學反應引起產品變質及容器被腐蝕。

4、陰涼密封保存,貯運中防止雨淋或曝曬,冬季防止冰凍。保存期24個月,超過保存期檢驗合格仍可使用。

納米矽半導體發光材料

21世紀是高度信息化的時代,微電子信息處理的速度迅速發展,但逐步趨向極限。要有所突破,實現光電集成是必由之路。在矽片上實現光電集成從工藝和材料上看是最理想的方案,但受到以下限制:矽具有間接帶隙,只能發射極微弱的紅外光,長期以來被認為不適合於光子學套用,特別是不能用作在光子學中起關鍵作用的光源。1990年多孔矽的室溫強可見光發射被發現,使人們看到了矽被套用於光子學光源的可能性。我們組近十年的研究一直以此為目標,堅持矽基發光材料和器件的基礎研究.

納米矽半導體發光材料研究成果

(1)通過改變富矽量、退火條件等,控制氧化矽中矽納米晶的尺寸及密度。文獻認為出現矽納米晶的臨界溫度是1000oC,而我們通過試驗確定出現納米晶的臨界退火溫度為900oC。右圖是經900oC退火富矽量約為30%富矽氧化矽的高分辨電鏡象。可以清楚矽納米晶。圖左上角是它的電子衍射圖。

(2)首次觀察到Au/(Ge/SiO2)超晶格/p-Si結構的電致發光。右圖出四周期Ge/SiO2超晶格的高分辨電鏡圖。其中亮線為SiO2,厚度為2.0nm,Ge層厚為2.4nm。

(3)在矽襯底上用磁控濺射技術生長了納米SiO2/Si/SiO2雙勢壘(NDB)單勢阱三明治結構,首次實現Au/NDB/p-Si結構的可見電致發光。發現電致發光的峰位、強度隨納米矽層厚度(W)的改變作同步振盪,如右圖所示。進一步試驗和分析證明,振盪周期等於1/2載流子的deBroglie波長。用我們組提出的電致發光模型作了解釋。

(4)首次在用磁控濺射生長的SiO2:Si:Er薄膜的基礎上實現了波長為1.54μm(光通訊視窗)的Er電致發光。

(5)在熱處理ITO/自然氧化矽/p-Si中首次獲得低閾值電壓的360nm的紫外電致發光,是已報導的最短波長的矽基電致發光。

納米矽半導體發光材料套用前景

我們在矽襯底上設計了十來種矽/氧化矽納米結構,實現了從近紫外到近紅外的各主要波段(包括1.54和1.62μm)的光致發光和正向或反向偏壓下的低閾值電壓電致發光,並提出了受到廣泛支持的光致發光和電致發光模型,這為最終實現矽基光電集成打下一定的基礎。具有重要的科學意義和巨大的套用前景。

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