區熔鍺錠

科技名詞定義 中文名稱：區熔鍺錠 英文名稱：zone-refinedgermaniumingot 定義：還原鍺錠經區域提純而製得的鍺錠。雜質含量大約為每立方厘米有4×1013個原子，對應的電阻率約為50Ω·cm。 套用學科：材料科學技術（一級學科）；半導體材料（二級學科）；元素半導體材料（二級學科）
區熔鍺錠（Zone refined germanium ingot）是指用區熔方法提純得到的鍺錠，合格產品純度在99.9999％以上，電阻率達到47歐.cm(23＋/-0.5度)以上，條狀，梯形截面（26mmB×21mmT×23mmL），銀灰色金屬光澤，表面無裂紋（細看有多晶花紋），無粘渣，性脆，易斷裂，硬度5.0左右，微導電，屬於典型的半導體，不溶於鹽酸，硝酸和常鹼，但溶於HF、王水和熱的NAOH溶液中，在有H202作用下溶解速度更快。區熔鍺錠是純度很高的多晶，主要用於鍺單晶生產的原料。我國是世界上最主要的鍺材料生產大國，每年產量60多噸，由於其主要用於製造衛星上的電池片和武器裝備上的夜視儀，且其在地球上的含量極其稀少（按照目前國內鍺的開發速度，50年左右即將將國內鍺消耗殆盡），已開發國家都將其作為戰略儲備物資予以存儲和投放。