動態隨機存取記憶體

動態隨機存取記憶體

DRAM(Dynamic RAM),動態隨機存儲器。需要用恆電流以保存信息,一斷電,信息即丟失。其接口多為72線的SIMM類型。雖然它的刷新頻率每秒鐘可達幾百次,但是由於它採用同一電路來存取數據,所以存取時間有一定的間隔,導致了它的存取速度不是很快。在386、486時期被普遍套用。

簡介

動態隨機存取記憶體動態隨機存取記憶體

DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的縮寫,通常是計算機內的主存儲器,它是而用電容來做儲存動作,但因電容本身有漏電問題,所以記憶體內的資料須持續地存取不然資料會不見

帶有固態磁碟的動態隨機存取記憶體模組

動態隨機存取記憶體動態隨機存取記憶體

一種帶有固態磁碟的動態隨機存取記憶體(DRAM)模組,其在標準DRAM模組的板面上增設固態磁碟(SSD),該SSD由多個快閃記憶體及控制器所構成,並採用串列通訊接口進行數據傳輸,例如通用串列匯流排(USB)或串列先進技術配置(SATA),該通訊接口可利用標準DRAM模組的多個接腳中的空腳加以定義,並配合專用主機板的DRAM模組插座而與系統相連,或於DRAM模組上設定專用連線器,通過接線而與系統相連,以形成系統內建的快閃磁碟。

低功耗動態隨機存取記憶體

MobileSDR/DDRSDRAM
512MbW949D6BZX/W949D2BZX/W989D2BZX,1GbW94AD2BZX
手持消費性電子產品的功能日異月新,新的功能陸續的推出,如高畫素照相手機3G智慧型型手機、3D數字導航PND、電子書數位電視…等,加上歐盟EuP指令的要求,使得電子產品中的低功耗記憶體RAMBuffer需要量大增。為因應大量低功耗記憶體需要,華邦推出符合JEDEC標準MobileDRAM規格之產品,產品涵蓋512Mb~1Gb。
W949D2B和W949D6B的記憶體容量為512Mb,W94AD2B的容量為1Gb,主要的產品規格為:DDRx32/x16兩種數據傳輸頻寬,工作電壓1.8V;提供的低功耗功能有PartialArraySelfRefresh(PASR),AutoTemperatureCompensatedRefresh(ATCSR),DeepPowerDownMode。適合多種套用產品如掌上型數位電視播放機、可攜式導航設備(PND)、智慧型型手機/PDA、無線網路攝影機(IP-cam)、MP3/MP4音樂播放機、電子書、掌上型遊戲機,Wimax設備、消費性電子等,目前已經成功導入全球各大ARM-9、ARM-11..平台。

虛擬靜態隨機存取記憶體

PSRAM
32MbW965A6F/64MbW966A6C,128MbW967D6D/W957D6D,256MbW968D6B
PseudoSRAM採取傳統DRAM為核心;接口則設計與傳統SRAM兼容的架構。另外PseudoSRAM設計了一個on-chiprefreshcircuit來解決DRAMcell之Refresh,以增加讀取速度並降低使用者在設計上的困擾。產品完整含蓋16Mb~256Mb;本次所展出之256MbPSRAM為現今市場上容量最大之PSRAM之一(符合CellularRAM2.0G之標準);除領先同業之外,與主要系統供貨商建立更進一步的合作關係。

參考

百度百科、雅虎百科、GG百科、114百科

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