光二極體陣列檢測器

光二極體陣列檢測器是一種對光子有回響的檢測器。

它是由矽片上形成的反相偏置的p-n結組成。反向偏置造成了一個耗盡層,使該結的傳導性幾乎降到了零。當輻射照到n區,就可形成空穴和電子。空穴通過耗盡層到達p區而湮滅,於是電導增加,增加的大小與輻射功率成正比。光二極體陣列檢測器每平方毫米含有15000個以上的光二極體。每個二極體都與其鄰近的二極體絕緣,它們都聯結到一個共同的n型層上。當光二極體陣列表面被電子束掃描時,每個p型柱就連線著被充電到電子束的電位,起一個充電電容器的作用。當光子打到n型表面以後形成空穴,空穴向p區移動並使沿入射輻射光路上的幾個電容器放電。然後當電子束再次掃到它們時,又使這些電容器充電。這一充電電流隨後被放大作為信號。光二極體陣列可以製成光學多道分析器。

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