內容簡介
《矽基納米電子學》內容分為兩個部分。第一部分系統地闡述了納米電子學的基本概念和理論，主要包括現代積體電路的物理極限和技術障礙、用於矽基納米器件的主要加工工藝：第二部分介紹新型納米尺度的電子器件，包括共振隧穿器件、單電子器件及其電路、矽納米線及納米線異質結構、其他矽基納米電子器件、矽基磁電子學的研究現狀。全書強調新概念、新現象的闡述，以及定性描述與定量理論表述相互結合。目錄
第1章 矽納米電子學理論基礎1.1 HartreeFock方程（HF方程）
1.1.1 Hartree近似
1.1.2 HartreeFock方程
1.2 格林函式
1.2.1 泊松方程的格林函式
1.2.2 鏡像法求格林函式
1.2.3 套用格林函式計算納米尺寸電子器件的電學性能
1.3 CMOS器件中的尺度效應和模型
1.3.1 薛丁格泊松解法解決平衡情況下的器件
1.3.2 連線兩個費米能級不同的接觸電極下的情況
1.3.3 一維器件的平衡能帶圖
1.3.4 連續傳輸
1.3.5 非連續傳輸
第2章 納米電子學工藝概論
2.1 納米加工技術概述
2.1.1 概述
2.1.2 採用電子束曝光或電子束刻蝕技術製作量子結構
2.1.3 採用聚焦離子束加工技術製作量子結構
2.1.4 採用微細加工技術製作量子結構
2.1.5 採用掃描隧道顯微鏡技術製作量子結構
2.1.6 納米微晶矽薄膜材料簡介
2.2 納米工藝
2.2.1 光刻膠
2.2.2 光刻
2.2.3 圖形轉移
2.3 納米電子學
2.3.1 納米器件
2.3.2 納米電晶體設計
2.3.3 納米電光學
2.3.4 物理學模型和器件仿真
2.3.5 總結
第3章 矽基隧穿二極體及積體電路
3.1 簡介
3.2 隧穿理論
3.2.1 隧穿電流的成分
3.2.2 隧穿電流密度
3.2.3 隧穿二極體的開關時間
3.3 垂直隧穿二極體的製備
3.3.1 基於上旋擴散雜質的快速熱擴散工藝
3.3.2 上旋擴散劑
3.3.3 隧穿二極體製造工藝
3.4 隧穿二極體的特性和積體電路
3.4.1 所製備隧穿二極體的特性
3.4.2 隧穿二極體振盪器
3.4.3 高速隧穿二極體/傳輸線脈衝發生器
第4章 單電子器件及其電路
4.1 電導振盪——Coulomb振盪現象
4.2 Coulomb阻塞效應
4.3 電流偏置下單個隧道結的IV特性
4.4 單電子電晶體（SET）的Coulomb阻塞工作狀態
4.5 單電子電晶體的ID隨VG的振盪——Coulomb振盪
4.6 超導態的Coulomb阻塞效應
4.7 單電子靜電計
4.8 半導體量子點旋轉門
4.9 單電子電晶體（SET）
4.10 單電子電晶體的典型結構
4.11 單電子“類CMOS倒相器”
4.12 單電子電晶體存儲器
4.13 單電子電晶體邏輯電路
4.14 量子網路自適應器件（QCA）
第5章 矽納米線及納米線異質結構
5.1 簡介
5.2 矽納米線
5.2.1 SiNW的製造方法和結構特徵
5.2.2 SiNW的電學性能
5.3 納米電子學中SiNW的套用
5.3.1 相交的納米線結構和器件
5.3.2 基於相交納米線的邏輯門
5.3.3 地址解碼器
5.3.4 在非傳統襯底上的納米線電子學
5.4 構造大規模層次化SiNW陣列的方法
5.4.1 LangmuirBlodgett納米線裝配方法
5.4.2 納米線器件的可變尺寸的集成
5.4.3 高頻納米線電路
5.5 SiNW作為納米級感測器
5.5.1 納米線場效應感測器
5.5.2 單病毒檢測
5.5.3 單病毒的多級檢測
5.6 SiNW異質結構
5.6.1 nisi/SiNW異質結
5.6.2 摻雜濃度調製的SiNW1
5.6.3 分支和超分支SiNW
第6章 其他矽基納米電子器件
第7章 存儲電阻
參考文獻
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