PECVD

PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) -- 電漿增強化學氣相沉積法。 PECVD：是藉助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成電漿，而電漿化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了電漿的活性來促進反應，因而這種CVD稱為電漿增強化學氣相沉積(PECVD).

詳細信息

PECVD

PECVD：是藉助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成電漿，而電漿化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了電漿的活性來促進反應，因而這種CVD稱為電漿增強化學氣相沉積(PECVD).

實驗機理：是藉助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成電漿，而電漿化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。

優點

基本溫度低；沉積速率快；成膜質量好，針孔較少，不易龜裂。

缺點

1.設備投資大、成本高，對氣體的純度要求高；

2.塗層過程中產生的劇烈噪音、強光輻射、有害氣體、金屬蒸汽粉塵等對人體有害；

3.對小孔孔徑內表面難以塗層等；

4.沉積之後產生的尾氣不易處理。

例子：在PECVD工藝中由於電漿中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處於激活的狀態容易發生反應。襯底溫度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作為積體電路最後的鈍化保護層，提高積體電路的可靠性。