相關詞條
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溝道阻止層
溝道阻止層，是MOS工藝中的一個術語，是一層較高摻雜濃度的p型層。
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溝道摻雜技術
g，溝道摻雜 -MOSFET，為了增大閾值電壓，需要摻入p型雜質，為了得到耗盡型MOSFET就需要摻入n 型雜質。
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P溝MOS電晶體
金屬氧化物半導體場效應(MOS)電晶體可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道矽MOS場效應電晶體在N型矽襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不...
P溝MOS電晶體 各種場效應管特性比較 -
場效應管
型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對於N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對於P溝道的場效應管其源極和漏極則接在...） 電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型N溝道MOS場效應管...
特點 工作原理 分類 作用 常見的場效應管 -
金屬氧化物半導體場效應電晶體
的不同，可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常被稱為N型金氧...從溝道指向基極端的為p型的金氧半場效電晶體，或簡稱PMOS（代表此組件的溝道為p型）；反之則代表基極為p型，而溝道為n型，此組件為n型的金氧半場效...
效應管 電路符號 工作原理 套用優勢 尺寸縮放 -
全控型器件
電子裝置 。電力MOSFET的種類按導電溝道可分為P溝道和N溝道。耗盡型——當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道。增強型——對於N（P）溝道...UT時，P型半導體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結...
簡介 門極可關斷晶閘管（GTO) 場效應管 絕緣柵雙極電晶體（IGBT） 總結 -
電力MOS場效應電晶體
溝道可分為P溝道和N溝道。耗盡型——當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道。增強型——對於N（P）溝道器件，柵極電壓大於（小於）零時才存在導電...原理（N溝道增強型VDMOS）截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P...
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MOSFET
兩個N型區中間的P型矽內形成一N型矽薄層而形成一導電溝道，所以在VGS...，MOSFET就有了4鍾類型：P溝道增強型，P溝道耗盡型，N溝道增強型...結構圖1 圖1是典型平面N溝道增強型NMOSFET的剖面圖 。它用一塊...
結構 工作原理 詳細信息 主要參數 型號命名 -
功率金屬氧化物半
按溝道材料:結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.按導電方式:耗盡...很大,則為N溝道;若兩次測得的阻值都很小,則為P溝道.判定源極S、漏極...，每種結構又有N溝道和P溝道兩種導電溝道。1、結型場效應管（JFET...
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N溝MOS電晶體
的結構示意圖和代表符號。代表符號中的箭頭方向表示由P(襯底)指向N(溝道)。P溝道增強型MOS管的箭頭方向與上述相反，如圖(c)所示。工作原理...N型導電溝道，其導電類型與P襯底相反，故又稱為反型層，如圖1(c)所示...
基本信息 結構 工作原理
